快速恢复二极管凭借短反向恢复时间，适配开关电源高频工况，减少反向恢复电流损耗与电磁干扰。在AC/DC的PFC电路、DC/DC的Flyback拓扑等中应用广泛，选型需权衡反向恢复时间、正向压降、反向耐压和额定正向电流，以保障开关电源高效稳定。
IGBT融合MOSFET电压驱动便捷性与BJT低导通损耗特性，其结构含P型衬底、N型漂移区等，栅极电压控制工作状态。导通时栅极超阈值电压形成导电沟道，电子与空穴作用使器件导通，电导调制效应降损耗；关断时栅压低于阈值，载流子处理影响关断速度与损耗。
车载MOSFET作为新能源汽车功率器件核心，以电压控制栅极调控漏源极导电通道，具高频开关特性。分为硅基与碳化硅两类，前者凭成熟工艺占中低压领域，后者依宽禁带特性适高压场景，在电机驱动、OBC及DC/DC转换中通过优化开关与导通损耗提升系统效率。
PIN二极管通过在P、N型半导体间插入本征层，改变电容与载流子存储特性。在汽车电子中，于传感器领域借光电、压阻效应实现信号转换，在EMI防护中利用瞬态响应抑制干扰，还在电源管理、信号处理等环节发挥关键作用。
线性稳压器基于串联调整原理，通过线性调整元件调节输出电压，输出纹波低但效率低、需散热，仅能降压。开关稳压器采用高频开关模式，靠功率开关管等元件转换能量，效率高、功能多，但纹波与EMI问题突出，瞬态响应慢。
