DC/DC 转换器基于直流电压转换原理工作，高效稳定的电压调节特性关键。制造工艺与电路设计优化结构与性能。多种类型满足不同设备需求，如降压型适需低电压的芯片电路。在移动设备、电脑主板等广泛应用，在各设备中通过精准转换电压实现稳定供电，推动电子技术发展。
存储器基于二进制存储原理工作，存储容量与存取时间特性关键。制造工艺优化结构与性能。多种类型满足不同设备需求，如只读型适系统启动程序存储。在计算机、手机等设备广泛应用，在各设备中通过存储与读取数据实现特定功能，推动数字技术发展。
硅电容器基于 “金属 / 绝缘体 / 金属” 结构原理工作，高温稳定性及微型化特性关键。半导体制造工艺优化结构与性能。多种设计满足不同场景需求，如 3D 纳米结构型适高集成度电路。在网络、医疗、汽车等领域广泛应用，在各领域中通过稳定电容实现特定功能，推动电子技术发展。
肖特基二极管作为金属 - 半导体器件，由贵金属与 N 型半导体组成，通过电子扩散形成肖特基势垒，决定其导通与截止。它具备低功耗、超高速特性，反向恢复时间短至几纳秒，正向导通压降约 0.4V。广泛用于高频整流、检波混频、高速逻辑电路箝位及 IC 领域，虽有耐压低和漏电流大的不足，但在众多电路中发挥关键作用。
SiC MOSFET 作为新型电力电子器件，依托碳化硅材料，具备高硬度、宽禁带、高热导率等特性。其平面栅与槽栅结构在制造工艺、性能及应用场景上存在差异。工作时，动态特性受米勒效应等影响，通过双脉冲测试可获取关键参数。凭借高功率密度等优势，在 FSBB 模块等多场景广泛应用，推动电子技术革新。
