数字晶体管基于半导体光电效应和量子力学特性，由源极、栅极、漏极构成，通过栅极电压控制电流实现信号放大、开关等功能。其尺寸随制造工艺发展不断缩小，集成度提升，为5G通信和物联网发展提供硬件支撑。
SiC材料禁带宽度、临界击穿电场强度高，热导率优，其MOSFET结构适合硬开关；GaN禁带宽度略高、临界击穿电场强度更高，但热导率低，HEMT结构高频特性突出。二者在导通损耗、可靠性及应用场景各有优势，共同推动功率电子行业发展。
红外发光二极管基于半导体光电效应，将电能转化为红外光，人眼不可见但可被特定器件探测，具有信息传输和物体检测优势。在智能家居中，从早期遥控器应用，到如今安防监控的红外夜视摄像头、红外人体感应，以及环境监测的气体浓度检测、温度测量等。
AC/DC转换器是电子设备的能量“翻译官”，其行业正经历材料革新。传统硅基材料因禁带宽度窄等局限，难以满足高要求。氮化镓作为宽禁带材料，具高电子迁移率、击穿电场强度等优势，能降低损耗、缩小元件尺寸，在多领域应用广泛，前景广阔。
线性电源经变压器降压、整流滤波，借线性调整管调节电压，具备高精度、低纹波与低电磁干扰特性，却效率低、体积大。开关电源靠功率器件周期性开关转换交流电，效率高、体积小，不过电磁干扰与输出纹波较为突出。
