罗姆开启2019技术研讨会，巡回全国4城市
日前，由全球知名半导体制造商罗姆主办的、巡回全国四大城市的“2019ROHM技术研讨会”于首站长春(9/11)正式开启。10~12月将来到北京(10/24)、上海(11/29)、杭州(12/13)三地，围绕“车载技术与应用场景”主题开展技术演讲。
一年一度的“ROHM技术研讨会”自2014年起至今已成功举办了五届，活动足迹遍及全国各地，是罗姆与业界友人交流互动、分享经验的良好平台。今年技术研讨会的演讲内容主要包括：
- 面向新能源汽车的功率元器件市场动向及罗姆产品战略
- 罗姆车载IC产品介绍
- 罗姆工控消费类IC产品介绍
现场除了精彩的技术讲座，还设有DEMO展示、洽谈交流、茶歇以及幸运抽奖等丰富环节。在轻松愉快的氛围中，学习并巩固设计知识，启发设计灵感。作为协办单位，增你强、帕太、AMEYA360、源悦、肖克利等代理商也将应邀参与现场环节。
了解更多活动详情以及报名信息，欢迎关注罗姆微信公众号“rohmsemi”。
关于罗姆
作为拥有60余年历史的综合性半导体厂商，罗姆提供从电阻器到分立式元器件、LSI、以及模块等广泛的产品阵容，始终致力于提供发挥综合能力的解决方案，其核心是模拟电源解决方案。融合了“电路设计”、“布局”、“工艺”三大核心技术的电源IC、电机驱动器等先进的模拟IC陆续问世。通过组合运用以世界先进的SiC（碳化硅）为中心的功率元器件技术、充分发挥其性能的控制IC和模块技术，在提供电源解决方案的同时，还为汽车和工业设备领域的节能化、小型化作出贡献。
碳化硅晶圆的制造流程涉及前驱体净化处理、高温高压下的化学反应生成固态碳化硅、定向生长以及后续加工等关键步骤。这些步骤共同确保了碳化硅晶圆的高品质制造。碳化硅晶圆因其高硬度、出色的耐磨性、高温稳定性、优异的电学性能、良好的透光性和抗辐射能力，在半导体和电子器件领域具有广泛应用前景。
碳化硅晶圆在电子工业中占据重要地位，其宽带隙、高机械强度和高导热性使其成为硅基半导体的理想替代材料。其中，4H-SiC和6H-SiC是最常见的碳化硅单晶类型，前者在微电子领域应用广泛，后者更适用于光电子领域。碳化硅晶圆可根据杂质含量、晶格缺陷密度和表面质量等分为不同等级，如N型半绝缘体（SI）晶圆和低杂质（LD）晶圆等。
蚀刻碳化硅晶圆是一项涉及复杂物理和化学作用的技术。蚀刻过程通过产生包含活性自由基的等离子体来实现，这些自由基与碳化硅表面材料发生化学反应，实现化学刻蚀。同时，正离子的物理轰击作用辅助化学刻蚀过程。为确保蚀刻的精确性和可重复性，需优化蚀刻条件如等离子体密度、自由基浓度和离子能量。
PIN二极管作为关键的微波半导体器件，其性能提升涉及多个方面。首先，精确控制I层的掺杂浓度和分布是关键，需严格把控材料选择、切割、清洗、扩散、退火等制造过程的工艺稳定性。其次，优化PIN二极管的温度特性、高频性能以及集成化水平也是技术挑战。
PIN二极管是一种特殊半导体器件，由P-I-N三层结构组成，具有高阻抗和低噪声特性。其I层在施加不同直流电压时，载流子数量变化影响阻抗状态，可用于微波信号的通断控制。PIN光电二极管在高速通信和传感系统中发挥关键作用，如光信号响应和安防系统应用。
