罗姆半导体：业务重心向车载应用倾斜，SiC器件挑大梁
这几年，汽车市场正在成为半导体行业重点关注的焦点。世界各国正在制定传统燃油汽车停产时间表，这标志着新能源汽车时代将正式开启。与传统汽车相比，新能源汽车所包含的电子和电力电子器件更多，预示着半导体厂商将发挥更大的作用。另外，汽车自动驾驶技术正在取得快速进展，而自动驾驶技术对半导体技术的依赖显而易见。
罗姆半导体（ROHM）是一家具有50年历史的日本厂商。它拥有从晶体材料生产到晶圆加工再到器件组装的全流程半导体技术，是一家所谓的垂直整合制造商。十年以前，ROHM以消费类电子市场为主要标的，而现在，罗姆的业务重点正在向车载市场和工业设备市场转移，目标是在2020年这两部分业务达到公司总体业务的一半。
近日，ROHM在北京召开车载战略发布会，ROHM半导体（上海）有限公司董事长藤村雷太先生、ROHM半导体（上海）有限公司设计中心所长李骏先生、ROHM半导体（上海）有限公司设计中心高级经理水原德健先生和ROHM Co., Ltd. 车载战略部车身及传动系统课课长坂井善治先生就ROHM公司的经营策略和技术特长进行了讲解。同时，清华大学电机系教授赵争鸣先生介绍了SiC器件的应用研究状况。
据介绍，ROHM在汽车市场的努力体现在环境、安全和舒适三个汽车行业发展趋势上，包括汽车的电动化、LED车灯、ADAS及自动驾驶，以及车载信息娱乐系统等方面。ROHM的车载产品主要有以下这些类别：
车载娱乐信息系统
支持功能安全的LCD面板芯片组。用于液晶仪表盘和后视镜。ROHM的液晶仪表盘技术能够在出现异常的情况下显示基本行驶信息，从而保证行车安全。
与SoC制造商合作开发的PMIC。ROHM与英特尔和瑞萨合作开发了电源管理芯片，为英特尔的Atom E600系列芯片组和瑞萨的Gen.3 H3平台开发电源，节省了用户的研发时间。
高级驾驶辅助系统（ADAS）
ROHM用于ADAS的产品包括声呐用信号处理IC、摄像头电源IC和毫米波雷达电源IC，以及传感器用MOSFET。
车身控制模块
ROHM的车身控制产品有多功能LED控制器IC+IPD，以及车内通信IC。ROHM的LED控制技术的亮点是，在发现对面来车时自动关闭本车的LED远光灯，从而保证双方的行驶安全。
面向新能源汽车的动力传动：SiC技术
ROHM的SiC器件是此次活动讨论的重点。赵争鸣教授介绍说，与属于弱电的电子科学相比，电力电子科学的发展程度还相当低，理论上相当不完备，很多情况下还要依赖经验来摸索前进。
目前市场上的功率器件还是以半导体材料为基础，其中硅材料是主流。近年来，新的功率半导体材料受到重视，其中以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）最受瞩目。
赵争鸣教授介绍说，与硅材料相比，SiC材料有着显著的优势：击穿场强是硅的10倍，相同耐压下具有更低的通态电阻，相同耐压下具有更快的开关速度，禁带宽度是硅的3倍，热传导率是硅的3倍，而且可以提供更高的电流密度，可以在高温下运行。当然，SiC材料也有些不利的特性，例如硬度太高，不易加工。此外，SiC器件的效能与驱动、控制、冷却、结构、无源元件等存在紧密的关系，限制了SiC器件的潜力。
水原德健先生介绍说，与传统的硅材料相比，SiC材料能够以更高的频率运行，能承受更高的电压，器件的输出功率得以大幅提高。如下图所示，基于SiC材料的MOSFET和IGBT具有高频率和高功率的特性。
图1：各种功率器件的定位
更高的开关频率所带来的好处是，外围的无源器件尺寸得以大幅缩小，这样就降低了供电系统的尺寸和成本。更高的转化效率对散热的要求更低，能耐受更高的工作温度使得SiC器件更适合恶劣环境下的车载应用。
ROHM的SiC器件主要应用在新能源汽车的三个部分：车载电池充电器、牵引逆变器和降压转换器。自2010年开始，ROHM已经陆续量产了基于SiC材料的SBD、DMOS、功率模块和Trench-MOS。据介绍，ROHM的SiC器件工艺不断改善，各项性能较竞品更优。例如，其第三代SiC MOSFET采用了双沟槽结构，该结构可缓解Gate Trench底部电场集中，确保产品的长期可靠性并实现量产。
图2：第三代SiC MOSFET采用双沟槽结构
作为一家以提供高质量、高精度器件为宗旨的半导体厂商，ROHM的业务重心正在向车载应用倾斜，而基于SiC材料的功率器件是提升ROHM车载应用的重点技术，该技术将有助于减轻电动汽车重量并延长行驶距离。
RLC电路在无线能量传输和无线充电领域展现出广阔的应用前景，通过优化参数和结构，可实现更高效、稳定的能量传输和充电。在全球对环保和可持续发展的重视下，RLC电路注重绿色节能设计，降低功耗并提高能量转换效率。
随着电子技术的发展，对电路模块化和集成化的要求日益提高。然而，由于RLC电路元件参数的复杂性和敏感性，其模块化和集成化难度较大。因此，在保证电路性能的前提下实现模块化和集成化是RLC电路技术发展的重要方向。此外，RLC电路的调试与优化也是一个复杂的过程，需要综合考虑多个因素，如精确测量元件参数、调整谐振频率、优化电路结构等，以确保电路性能满足要求。
RLC电路由电阻（R）、电感（L）和电容（C）组成，这些元件分别具有阻碍电流、储存磁场能量和储存电场能量的特性。电阻阻碍电流流动，电感阻碍电流变化，电容则对电流进行补充。当交流电通过RLC电路时，电阻、电感和电容的不同影响导致电流和电压波形发生变化。RLC电路在特定频率下可呈现谐振状态，此时电流和电压振幅最大，相位关系特定。
随着电力电子技术的飞速发展，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为关键元件，在能源转换、电力传输和工业自动化等领域扮演着重要角色。然而，随着能效要求的提高和应用环境的复杂化，传统IGBT技术面临挑战。因此，对IGBT门级电压及其相关技术的深入研究与创新显得尤为重要。
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种结合了MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降优点的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高压、大电流、高速的特点。它在电力电子设备中起着关键作用，特别是在直流电机驱动器、电动车、变频器、混合动力车和电动汽车中，通过调节门级电压实现对电路中电流和电压的精确控制。
