GaN Systems公司与罗姆联手致力于GaN功率器件的普及
6月5日，全球知名的半导体厂商日本罗姆半导体集团（ROHM）同全球氮化镓功率半导体的领导者GaN Systems宣布，双方将在氮化镓功率器件领域开展战略合作，推动功率电子设备持续更新换代。
此次战略合作将充分利用GaN Systems在高功率氮化镓晶体管领域的技术领先优势，深入挖掘罗姆半导体在电子元器件设计和制造领域的巨大资源和广泛行业积累。
产品层面，双方将联合开发型号、功能兼容的产品，将氮化镓半导体芯片同时应用于GaN Systems的GaNPX®封装工艺和罗姆半导体的传统功率器件封装工艺中。今后，两家公司的客户将可以共享氮化镓产品线及相关技术支持，选择范围和地域灵活性大大提升。
技术层面，GaN Systems和罗姆半导体将共同致力于相关领域的技术研发，为工业、汽车和消费电子产业提供更具突破性的技术解决方案。双方将进一步合作扩大氮化镓半导体器件产品线，推动功率电子设备朝更节能、更高效的方向发展。
GaN Systems的CEO Jim Witham表示：“氮化镓在功率电子器件中的应用迅速增长。本次合作充分体现了氮化镓在完整的功率电子产品中的重要性。能够同罗姆半导体这样一家行业领先的公司开展合作，我们感到非常自豪。通过双方专业能力的强强联合，我们会让更多的企业接触和体验到氮化镓带来的高效率、小型、轻量等突出优势。”
罗姆半导体专务董事Katsumi Azuma指出：“罗姆半导体将功率元器件作为公司的战略增长方向之一。我们不仅为市场供应最顶尖的碳化硅功率器件，为集成控制技术提供解决方案，也在研发以氮化镓技术为代表的下一代功率器件。通过利用双方公司的优势技术，我们有能力加速高性能解决方案的研发进程，满足功率电子器件市场的需求。”
GaN System是氮化镓半导体技术的全球领军企业，其多样化的晶体管产品有效满足了数据中心服务器、可再生能源系统、汽车、工业电机和消费电子等领域对功率器件性能的极高要求。作为一家处于市场前沿的创新企业，GaN Systems使动力系统设计得以朝向体积更小、成本更低、功率更高的方向发展。
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向中小功率（30W～1kW级）的工业设备和消费电子设备，开始提供LogiCoA™电源解决方案，该解决方案能以模拟控制电源*1级别的低功耗和低成本实现与全数字控制电源*2同等的功能。
隧道二极管作为关键半导体器件，在高速开关、高频振荡等领域发挥重要作用。材料科学、纳米技术的发展将推动其技术革新，实现性能提升。同时，集成化、微型化及智能化发展也是未来重要方向。国际上隧道二极管研究集中在材料优化、制造工艺提升等方面，国内也呈现出蓬勃态势。
隧道二极管基于隧穿效应工作，需精确控制材料、掺杂和几何结构以提升性能。然而，其热稳定性差、电路设计复杂、脉冲幅度小以及制造难度高限制了应用。为解决这些问题，需研究新材料、工艺以降低生产成本并提高稳定性。
隧道二极管，利用量子力学中的隧穿效应工作，其核心结构是高度掺杂的p-n结，形成了非常窄的耗尽区。在电压作用下，电子能够直接通过量子隧穿效应穿越耗尽区，形成独特的非线性电流-电压关系，表现为负微分电阻效应。这使得隧道二极管在高频振荡、放大、高速开关及低噪声器件等方面具有独特应用优势。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
