业界首创！ROHM开发出可播放所有常见音源的支持高分辨率Audio SoC
近年来，不仅高分辨率音源深受各类音乐爱好者欢迎，各种各样的音频设备对于忠实再现所有音源（媒体、音乐文件）信息量的需求日益高涨。而要想支持所有音源，不仅需要包括外围部件在内的CD、USB及Bluetooth等多个媒体解码器，而且运行这些设备的软件也越来越复杂，因此存在开发耗时长的问题。
2017年5月10日，全球知名半导体制造商ROHM罗姆半导体在深圳发布一款Audio SoC，这也是全球第一款Audio SoC。这是一款可播放所有常见音源、并将控制管理外围部件和输入输出接口的机构（可称为音响应用的大脑）集成于一枚芯片的支持高分辨率（最高支持192kHz/24bit）的Audio SoC——BM94803AEKU。
罗姆半导体是谁？不啰嗦，直接上一张图，这是清华大学罗姆楼，也是清华大学电子工程系的系馆，这个楼应该能说明罗姆在半导体领域的地位。
BM94803AEKU这是ROHM面向音频领域的又一力作。罗姆半导体不仅有着用于音频领域的运算放大器等通用IC，还有用于声音处理器、扬声器放大器及媒体解码器等音频相关IC。
下图列出的是罗姆在各个不同时期的相关音频产品。也许我们不曾留意到，不过它确实自上世纪70年代起就生产品质卓越的音频产品。
BM94803AEKU是融合了ROHM集团多年积累的ASIC（特定用途专用IC）、微控制器及各种媒体解码器等的电路技术和软件技术优势，在优化设计的处理器芯片上搭载SDRAM并一体化封装的产品。不仅广泛支持各种音源，还利用ROHM长达20多年积累的技术经验实现了播放稳定性（划伤CD的流畅播放、非标准USB存储设备的播放），并通过搭载SDRAM实现了小型化。
产品特点1
支持用户需要的所有常见音源
支持从传统媒体（CD、USB、SD）到新兴媒体（智能手机、Bluetooth）、PC（USB-DAC连接），同时还支持包括FLAC和DSD在内的众多音乐文件格式。
支持的媒体列表
产品特点2
流畅播放用户珍视的媒体
新产品融入了ROHM长达20多年积累的开发经验和技术诀窍，可轻松实现卓越的播放稳定性，例如，表面有划痕的CD也可毫无跳音地流畅播放。另外，还可顺利读取在各种非标准USB存储器中存储的音频文件。
这种极度划伤严重的CD也能顺利播放
各种稀奇古怪的USB存储设备中的文件也能顺利读取
产品特点3
具备大力支持所有音频设备开发的软件
为音频设备提供优化设计的Audio SoC和最大限度地发挥其性能的专用软件（作为参考设计提供），可大幅缩短以往音频设备厂家所需的开发周期，有助于音频设备的迅速开发。
产品特点4
搭载CD-DSP、SDRAM，实现小型化
Audio SoC搭载以往需要另行安装的器件CD-DSP（CD用媒体解码器）和16M bit DRAM（蓝碧石半导体制造），实现一体化封装。因此，安装面积更小，而且无需再担心元器件间的辐射噪声。
另外，随着此款SoC的推出，还同时推出了业界首款支持高分辨率的音频参考设计。该参考设计以Audio SoC为中心，集成了常用模块：蓝牙模块、USB-DAC模块、SD存储卡模块、USB存储器模块、CD驱动器、调频/调幅模块、AUX输入及话筒输入，还包括ROHM的放大器，并可输出到扬声器、耳机及USB与SD存储设备。用户可立即进行播放工作的实机确认，最大限度地发挥音频设备和外围应用的性能。
具备多种输入输出的以BM94803AEKU为中心的参考设计可快速让音频设备开发者立即进行实机播放确认，大大缩短产品开发周期。
BM94803AEKU已于2017年1月份开始暂以月产3万个的规模投入量产（样品价格4,000日元/个：不含税），并已同时推出参考设计（参考价格70,000日元/台：不含税）。
今后，ROHM将继续扩充支持高分辨率的产品阵容，满足现代的高音质需求。现在BM94803AEKU最高支持192kHz/24bit的音源，未来会支持384kHz/32bit，并具备支持压缩音源的升频功能，以使普通音源也可以实现高分辨率输出。
然而罗姆半导体在音频领域有更宏伟的目标，未来可能开发更高规格的音频元件：
低噪声电源IC
非常适用于高清高分辨率音频的超低噪声LDO
噪声电平 5μVrms以下
PSRR 50dB以上(1MHz时)
支持高分辨率的放大器
非常适用于高分辨率音频的50W以上输出的高输出功放
DSP内置型
Power_Stage外置型
（把SiC等扬声器驱动用的功率管外置的产品)
支持高分辨率的D/A转换器
面向旗舰级音频设备
在数值性能基础上，再现强劲的低音和轻松的声乐
确保车载可靠性
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向中小功率（30W～1kW级）的工业设备和消费电子设备，开始提供LogiCoA™电源解决方案，该解决方案能以模拟控制电源*1级别的低功耗和低成本实现与全数字控制电源*2同等的功能。
隧道二极管作为关键半导体器件，在高速开关、高频振荡等领域发挥重要作用。材料科学、纳米技术的发展将推动其技术革新，实现性能提升。同时，集成化、微型化及智能化发展也是未来重要方向。国际上隧道二极管研究集中在材料优化、制造工艺提升等方面，国内也呈现出蓬勃态势。
隧道二极管基于隧穿效应工作，需精确控制材料、掺杂和几何结构以提升性能。然而，其热稳定性差、电路设计复杂、脉冲幅度小以及制造难度高限制了应用。为解决这些问题，需研究新材料、工艺以降低生产成本并提高稳定性。
隧道二极管，利用量子力学中的隧穿效应工作，其核心结构是高度掺杂的p-n结，形成了非常窄的耗尽区。在电压作用下，电子能够直接通过量子隧穿效应穿越耗尽区，形成独特的非线性电流-电压关系，表现为负微分电阻效应。这使得隧道二极管在高频振荡、放大、高速开关及低噪声器件等方面具有独特应用优势。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
