SiC功率模块下的ROHM逆变器产品
- SiC器件在高温环境中的应用
- SiC器件的微波应用
- SiC智能功率器件在电力系统中的应用
- SIC器件发展助力新能源汽车产业技术革新
碳化硅(SIC)功率器件具有其高转换效率、高功率密度、高温稳定性、低功率损耗等特性。其技术在电动汽车的应用使得汽车轻量化效果显著,能够有效提升电动车10%以上的续航里程,减少80%的电控系统体积。碳化硅技术在在汽车领域的应用备受国内外汽车厂商的关注,有望成为新能源汽车产业发展的主要技术突破口。
ROHM扩充“全SiC”功率模块产品阵容 支持1200V/300A
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向中小功率(30W~1kW级)的工业设备和消费电子设备,开始提供LogiCoA™电源解决方案,该解决方案能以模拟控制电源*1级别的低功耗和低成本实现与全数字控制电源*2同等的功能。
隧道二极管作为关键半导体器件,在高速开关、高频振荡等领域发挥重要作用。材料科学、纳米技术的发展将推动其技术革新,实现性能提升。同时,集成化、微型化及智能化发展也是未来重要方向。国际上隧道二极管研究集中在材料优化、制造工艺提升等方面,国内也呈现出蓬勃态势。
隧道二极管基于隧穿效应工作,需精确控制材料、掺杂和几何结构以提升性能。然而,其热稳定性差、电路设计复杂、脉冲幅度小以及制造难度高限制了应用。为解决这些问题,需研究新材料、工艺以降低生产成本并提高稳定性。
隧道二极管,利用量子力学中的隧穿效应工作,其核心结构是高度掺杂的p-n结,形成了非常窄的耗尽区。在电压作用下,电子能够直接通过量子隧穿效应穿越耗尽区,形成独特的非线性电流-电压关系,表现为负微分电阻效应。这使得隧道二极管在高频振荡、放大、高速开关及低噪声器件等方面具有独特应用优势。
碳化硅(SiC)的比热容是其关键物理性质,随温度变化而展现独特优势,尤其在高温应用中。当前,通过实验测定和理论计算,科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究,揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。