揭秘SiC！ROHM线上研讨会火热报名中！
EV（电动汽车）不仅是当今环保潮流的宠儿，更通过体育竞技赛事的Formula E高速掠过喧嚣的纽约、巴黎、香港等大城市的公共道路，让大家领略了电动汽车的科技感和魅力。
如何最大限度地利用电力？而能否毫无浪费地使用电力？能够给性能带来飞速提升的，就是SiC功率元器件。
罗姆为EV的核心器件——逆变器提供SiC模块以及加速EV创新的SiC功率元器件，大大减少了逆变器的尺寸和重量，实现了小型轻量化，在赛车性能的提升上功不可没。而罗姆近年来砥砺前行，旨在以创新的SiC功率元器件助力解决能源相关的未来社会课题。
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2019年7月24日10点，ROHM将在微信上举办以“SiC元器件在电动车市场的应用”为主题的线上技术研讨会。届时将会有ROHM 专业高级工程师亲身现场讲解，全面剖析SiC元器件特点与性能，并带大家详细了解SiC功率元器件在EV领域的详细目标应用。
手机屏幕及电脑屏幕前的你还在等着些什么？快扫描下方二维码报名参与此次的ROHM线上技术研讨会吧！
宣传礼（8名） - 50元京东卡
将活动讯息转发到朋友圈，并截图私信给罗姆微信公众号，即有机会赢取价值50元京东电子卡。
早鸟礼（5名） - 小米耳机
在线报名成功后，从微课堂当天10点开始计时，前5位进入直播现场打招呼的罗姆粉丝，我们将送出小米耳机。
好学礼（10名） - 小米充电宝
微课堂过后还设有Q&A环节，我们将从提出课堂相关问题的罗姆粉丝中随机抽取10名幸运观众，送出小米充电宝。
问卷礼（5名） - 英雄宝珠笔
我们将从填写调查问卷的罗姆粉丝中抽取5名幸运观众，送出价值50元的英雄宝珠笔。
在研讨会开始后，您可再次进入报名时页面，即可看到“调查问卷”入口，欢迎对本次研讨会提出您宝贵的意见。回答简单问题即有机会中奖，万望大家不要忘记会后参与~
*请注意，想获得以上好礼都需要关注“罗姆微信公众号“ 哦！京东卡是电子卡，将会提供给中奖者卡号和密码
活动最终解释权由罗姆所有
碳化硅晶圆的制造流程涉及前驱体净化处理、高温高压下的化学反应生成固态碳化硅、定向生长以及后续加工等关键步骤。这些步骤共同确保了碳化硅晶圆的高品质制造。碳化硅晶圆因其高硬度、出色的耐磨性、高温稳定性、优异的电学性能、良好的透光性和抗辐射能力，在半导体和电子器件领域具有广泛应用前景。
碳化硅晶圆在电子工业中占据重要地位，其宽带隙、高机械强度和高导热性使其成为硅基半导体的理想替代材料。其中，4H-SiC和6H-SiC是最常见的碳化硅单晶类型，前者在微电子领域应用广泛，后者更适用于光电子领域。碳化硅晶圆可根据杂质含量、晶格缺陷密度和表面质量等分为不同等级，如N型半绝缘体（SI）晶圆和低杂质（LD）晶圆等。
蚀刻碳化硅晶圆是一项涉及复杂物理和化学作用的技术。蚀刻过程通过产生包含活性自由基的等离子体来实现，这些自由基与碳化硅表面材料发生化学反应，实现化学刻蚀。同时，正离子的物理轰击作用辅助化学刻蚀过程。为确保蚀刻的精确性和可重复性，需优化蚀刻条件如等离子体密度、自由基浓度和离子能量。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键热学性质，随温度升高而增大，展现了在高温环境下的出色热稳定性。SiC的比热容受纯度、晶体结构和颗粒大小等因素影响。高比热容使SiC在电子器件、陶瓷材料和核反应堆等领域有广泛应用。通过控制晶粒尺寸、减少杂质、引入高导热第二相材料和表面改性，可优化SiC的热性能。
