【答题有奖】ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”

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全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。

近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而，与Si MOSFET相比，GaN HEMT的栅极处理很难，必须与驱动栅极用的驱动器结合使用。在这种市场背景下，ROHM结合所擅长的功率和模拟两种核心技术优势，开发出集功率半导体——GaN HEMT和模拟半导体——栅极驱动器于一体的Power Stage IC。该产品的问世使得被称为“下一代功率半导体”的GaN器件轻轻松松即可实现安装。

新产品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能够更大程度地激发出GaN HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。另外，新产品支持更宽的驱动电压范围（2.5V～30V），拥有支持一次侧电源各种控制器IC的性能，因此可以替换现有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET*3／以下简称“Si MOSFET”）。功率损耗可降低约55%，因此可同时实现更低损耗和更小体积。

新产品已于2023年6月开始量产（样品价格4,000日元/个，不含税）。另外，新产品及对应的三款评估板（BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003）已开始网售，在Ameya360等电商平台可购买。

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＜产品阵容＞

新产品支持更宽的驱动电压范围（2.5V～30V），而且传输延迟短、启动时间快，因此支持一次侧电源中的各种控制器IC。

产品型号	数据表	漏极引脚 电压 Max.[V]	输入电压 范围 [V]	电源引脚 电压 [V]	电源引脚 工作电流 Typ.[µA]	电源引脚 静态电流 Typ.[µA]	导通 电阻* Typ.[mΩ]	导通 延迟时间 Typ.[ns]	关断 延迟时间 Typ.[ns]	工作温度 范围 [℃]	封装 [mm]
BM3G015MUV-LB		650	－0.6 ～ ＋30	6.25 ～ 30	450	150	150	11	15	－40 ～ ＋105	VQFN046V8080 （8.0×8.0×1.0）
BM3G007MUV-LB					650	180	70	12

* ID=0.5A, VIN=5V, Ta=25℃

＜应用示例＞

适用于内置一次侧电源（AC-DC或PFC电路）的各种应用。
消费电子：白色家电、AC适配器、电脑、电视、冰箱、空调
工业设备：服务器、OA设备

有奖问答:与Si MOSFET相比，新产品器件体积可减少约________%。

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