【答题有奖】③ROHM新增5款100V耐压双MOSFET

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全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应用，开发出将两枚100V耐压MOSFET*1一体化封装的双MOSFET新产品。新产品分为“HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列”和“HP8MEx（Nch+Pch*2）系列”两个系列，共5款新机型。

近年来，在通信基站和工业设备领域，为了降低电流值、提高效率，以往的12V和24V系统逐渐被转换为48V系统，电源电压呈提高趋势。此外，用来冷却这些设备的风扇电机也使用的是48V系统电源，考虑到电压波动，起到开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。而另一方面，提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高，效率会变差，因此，如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻，是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动，为了节省空间，对于将两枚芯片一体化封装的双MOSFET的需求增加。

在这种背景下，ROHM采用新工艺开发出Nch和Pch的MOSFET芯片，并通过采用散热性能出色的背面散热封装形式，开发出实现业界超低导通电阻的新系列产品。

新产品通过采用ROHM新工艺和背面散热封装，实现了业界超低的导通电阻（Ron）*3（Nch+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。与普通的双MOSFET相比，导通电阻降低达56%，非常有助于进一步降低应用设备的功耗。另外，通过将两枚芯片一体化封装，可以减少安装面积，有助于应用设备进一步节省空间。

新产品已于2023年7月开始暂以月产100万个（样品价格 550日元/个，不含税）的规模投入量产。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过Ameya360电商平台均可购买。

目前，ROHM正在面向工业设备领域扩大双MOSFET的耐压阵容，同时也在开发低噪声产品。未来，将通过持续助力各种应用产品进一步降低功耗并节省空间，为解决环境保护等社会问题不断贡献力量。

＜产品阵容＞

Nch+Nch 双MOSFET

产品型号	数据表	极性 [ch]	VDSS [V]	ID[A] TC=25℃	PD[W] TC=25℃	RDS（on）[mΩ]				封装 [mm]
						VGS=10V		VGS=4.5V
						Typ	Max.	Typ.	Max.
HP8KE6		N＋N	100	17	21	41	54	53	73	HSOP8 （5.0×6.0×1.0）
HP8KE7				24	26	15.1	19.6	18.6	27.8
HT8KE5		N＋N	100	7	13	148	193	200	300	HSMT8 （3.3×3.3×0.8）
HT8KE6				13	14	44	57	56	83

Nch+Pch 双MOSFET

产品型号	数据表	极性 [ch]	VDSS [V]	ID[A] TC=25℃	PD[W] TC=25℃	RDS（on）[mΩ]				封装 [mm]
						VGS=10V		VGS=4.5V
						Typ	Max.	Typ.	Max.
HP8ME5		N＋P	100	8.5	20	148	193	200	300	HSOP8 （5.0×6.0×1.0）
			－100	－8.0		210	273	233	303

* 预计产品阵容中将会逐步增加40V、60V、80V、150V产品。

＜应用示例＞

・通信基站用风扇电机
・FA设备等工业设备用风扇电机
・数据中心等服务器用风扇电机

有奖问答:Pch MOSFET：通过向栅_____________________而导通的MOSFET。可用比低于输入电压低的电压驱动，因此电路结构较为简单。。

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