SIC MOS生产时开机坏GS击穿是什么原因？

luck_gfb · 发表于 2018-8-9 09:23:05

SIC MOS生产时开机坏GS击穿是什么原因？生产使用的是ROHM的SIC MOS SCT2160二个，半桥LLC应用，生产初测试有出现GS击穿的现象，DS测试正常（万用表二极管测试），请大师帮忙分析一下是什么原因？是不是GS驱动电压设置太高引起。

luck_gfb · 发表于 2018-8-9 15:27:19

自己顶一个

yinwuqing · 发表于 2018-8-9 20:13:47

追问？

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