【电子小百科】晶体管⑥MOSFET特性

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关于MOSFET的寄生容量和温度特性
MOSFET的静电容量
功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量。
功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的静电容量、Cds根据内置二极管的接合容量决定。

MOSFET的静电容量

图1: MOSFET的容量模型

一般而言MOSFET规格书上记载的是表1中的Ciss/Coss/Crss三类。


容量特性如图2所示，对DS (漏极、源极) 间电压VDS存在依赖性。VDS大则容量值小。

容量 - VDS 依存性

图2: 容量 - VDS 依存性

温度特性
实测例见图(1) ~ (3)所示
关于容量特性的温度依存性几乎没有差异。

容量温度特性

图3: 容量温度特性

有奖问答：温度上升的同时开关时间略微增加，但是100°C上升时增加10%成左右，几乎没有_________。

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