【R课堂】DC/DC 评估篇③同步整流降压转换器的传导损耗

管理-小R

上一篇文章中，我们了解了同步整流降压转换器的损耗发生位置，并介绍了转换器整体的损耗是各部位的损耗之和。从本文开始将探讨各部位的损耗计算方法。本文介绍功率开关–输出端MOSFET的传导损耗。

MOSFET的传导损耗

PONH：高边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗
PONL：低边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗
PSWH：开关损耗
Pdead_time：死区时间损耗
PIC：IC自身功率损耗
PGATE：栅极电荷损耗
PCOIL：电感的DCR带来的传导损耗


输出端MOSFET的传导损耗
输出端MOSFET的传导损耗是高边和低边MOSFET导通时的导通电阻（RDS(ON)）带来的，也称为“导通损耗”。在这里使用以下符号来表示。
PONH：高边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗
PONL：低边MOSFET导通时的导通电阻带来的传导损耗
导通电阻是表示MOSFET特性的重要参数之一，并且MOSFET一定存在导通电阻。因此显而易见，具有电阻的导体中会有电流流过，而这部分会产生损耗。
下面来求MOSFET的传导损耗。下面电路图中的IONH（红色）表示高边MOSFET导通时的电流。IONL（蓝色）为低边MOSFET导通时的电流。波形图中的LX是开关节点的电压波形，IONH和IONL是伴随着开关的各电流波形，IL是电感电流，这是一个标准型示例。

输出端MOSFET的传导损耗

开关节点波形的红色部分表示流过IONH，蓝色部分表示流过IONL。也就是说，这期间流过MOSFET的电流和MOSFET的导通电阻带来的功率损耗成为各自的传导损耗。以下为计算公式示例。

计算公式示例

可以看出，结果是根据欧姆定律，I2、R乘以导通期间后的值。电流模型使用了平均电流Io。

有奖问答：在同步整流中，高边开关导通时________，低边导通时高边会关断。

Tips: 点击阅读全文，获得答案

请规范答题，连续答错无法获得奖励哦~

阅读全文