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更新时间 2018-11-26
基于SiC的平面型MOSFET。（SiC-SBD一体型） 其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。
| 类型 | 文档标题 | ECAD模型 | 格式 | 版本 | 文件大小 | 下载次数 |
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| 英文文档 | sch2080ke-e |
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1.0 | 1.1MB | 708 |
