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PWM控制与死区时间协同设计在MOSFET栅极驱动...

PWM控制与死区时间协同设计是MOSFET栅极驱动电路的核心。PWM通过调节占空比控制MOSFET导通，其关键参数影响开关损耗与EMI；死区时间用于防直通却不能过长。二者需综合器件参数、信号质量、温度等因素设计。

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