MOSFET:RV8C010UNHZG

更新时间 2022-05-30

RV8C010UNHZG是具有较高安装可靠性的车载用超小型MOSFET,利用先进的Wettable Flank成型技术确保封装侧面电极部分的高度为125μm。采用底部电极结构的封装确保稳定的焊接品质,使部件安装后焊接状态的自动光学检查(AOI)更准确。有助于车载ECU和ADAS相机模块等车载部件的小型化。适合用于高边负载开关、开关电路、继电器驱动器。

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英文文档 rv8c010unhzgg2cr-e pdf 4.09MB 69