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告别拖尾电流：SiC MOSFET的高速运行与低损耗秘诀
在新能源汽车、光伏发电及工业电源等领域蓬勃发展的背景下，功率半导体器件性能至关重要，SiC MOSFET凭借碳化硅材料高禁带宽度、高击穿电场等特性与优化器件结构，攻克传统硅基器件拖尾电流难题，实现高速运行与低损耗。
一枚芯片的智慧：IPD为汽车负载提供全方位保护
在汽车加速迈向电动化、智能化、网联化的进程中，IPD 凭借其高度集成的功率开关、接口控制电路、多元保护机制及自我诊断功能，以低功耗、高可靠性优势，为汽车各负载系统提供全方位保障，成为推动汽车行业安全、智能发展的重要技术支撑。
齐纳二极管工作原理深度解析：从击穿特性到应用场景
齐纳二极管作为特殊半导体二极管，凭借独特的反向击穿可逆特性，在电子电路稳压、限幅、保护及基准电压供给等领域发挥关键作用。其工作原理基于齐纳击穿与雪崩击穿机制，通过伏安特性曲线呈现稳压特性，应用时需关注功率、温度及动态电阻等要素。
罗姆将携电动交通与工业领域的最新解决方案亮相PCIM Europe 2025
中国上海，2025年4月22日——全球知名半导体制造商ROHM今日宣布，将于2025年5月6日至8日参加在德国纽伦堡举办的PCIM展览会暨研讨会。该展会是电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理领域的国际顶级盛会。罗姆将在9号馆304展位展示与知名合作伙伴的参考项目及其封装设计与评估板的技术演进。
为什么你的电子设备需要升压型DC-DC转换器？关键作用揭秘
升压型DC-DC转换器作为现代电子设备电源管理的核心组件，通过高效开关调控与储能元件协同工作，将输入低电压提升至稳定高电压输出，其转换效率可达80%-95%，显著优化便携设备的续航与性能。
激光二极管技术突破：从基础原理到前沿应用的深度解析
激光二极管凭借高效紧凑等特性成多行业核心驱动，其基于受激辐射原理，经材料与结构创新实现技术突破，在光通信、激光加工、消费电子等领域广泛应用，未来向高功率、集成化发展，与前沿技术融合前景广阔。
从车载到家居，语音合成LSI如何“声”入各领域
在人工智能与物联网深度融合背景下，语音合成 LSI 作为智能语音交互核心，凭借先进算法、高效模块及多样接口，于车载提升驾驶安全、智能家居实现便捷交互、工业控制助力设备监测。
硅电容器崛起：能否取代MLCC成为高端市场新宠？
硅电容器凭借集成度高、高频性能优的特点，对传统主导高端市场的MLCC发起挑战。尽管硅电容器受成本高昂、性能全面性不足等因素制约，但随着半导体技术进步与5G、人工智能等新兴领域需求激增，其有望突破瓶颈，与MLCC形成互补竞争格局。
SiC肖特基二极管技术解析：如何实现更高效率的功率转换系统
碳化硅（SiC）肖特基二极管凭借其宽禁带半导体特性、高电子饱和漂移速度以及优异的热导率，在功率转换系统中展现出显著优势，未来随着技术进步和规模化生产，SiC肖特基二极管有望在高效能源转换领域实现更广泛的应用突破。
IGBT的“开关艺术”：高频与高压如何兼得？
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）因兼具高速开关与耐高压特性而广泛应用于新能源汽车、智能电网等领域，但两者存在相互制约关系。高速开关产生的高电流/电压变化率会威胁耐压性能，而高耐压结构设计又会降低开关速度。
从材料到架构：揭秘异质性复合晶体管的核心技术与发展趋势
异质性复合晶体管作为创新成果在半导体器件备受瞩目，它融合多元材料与独特架构，突破传统晶体管性能瓶颈，在高性能计算、人工智能等领域潜力巨大，有望推动电子信息技术飞跃。
GaN HEMT如何颠覆功率电子市场？三大优势解析
GaN HEMT凭借宽禁带特性和二维电子气通道，在功率电子领域展现出显著优势。其高开关频率、低导通电阻和高功率密度特性，使其在5G通信、电动汽车快充和数据中心电源等领域实现高效节能和小型化。
高频性能剖析：标准整流管与肖特基检波管的信号处理差异
标准整流二极管与肖特基检波管在高频性能上差异显著。标准整流管基于P-N结，反向恢复时间长，正向压降高，适合低频应用但高频时损耗大。肖特基检波管采用金属-半导体结构，反向恢复快，正向压降低，适合射频检波和快充等高频场景。
高可靠性GaN栅极驱动器解析：保护电路设计与失效预防
氮化镓（GaN）器件凭借高频、高效优势在电力电子领域广泛应用，但其性能发挥高度依赖高可靠性栅极驱动器。针对GaN低阈值电压、高开关速度特性，驱动器需集成过流、过压、欠压及过热多重保护电路。
物联网时代的色彩感知：颜色传感器在智能家居中的创新应用
颜色传感器作为实现精准色彩感知的关键技术，其工作原理依托对不同波长光线的检测与分析。凭借高灵敏度、高精度、响应迅速、体积小巧和低功耗等显著特性，颜色传感器在智能照明、安防监控等领域有丰富创新应用。
从送纸设备到ODD：三相无刷电机驱动器的多元化应用场景
随着现代科技对高效动力需求的不断提升，三相无刷电机凭借高效率、高可靠性及低维护特性成为各领域核心动力装置，而驱动IC作为其关键控制部件，技术持续革新并广泛应用于办公设备送纸系统、光存储设备、工业自动化及电动汽车等领域。
PIN二极管在汽车电子中的三大应用：ADAS、激光雷达与电磁屏蔽
PIN二极管具备可灵活控制导通与截止、响应快速等电学性能，于ADAS提升倒车防碰撞与自适应巡航安全性，在激光雷达优化成像及特性表征，于电磁屏蔽构建可重构频率选择表面与自适应防护罩，有力推动汽车电子迈向更高智能化与自动化阶段。
低噪声、高精度：线性稳压器在精密仪器中的应用
线性稳压器凭借其卓越的低噪声和高精度特性已成为医疗诊断设备和科研测试仪器的关键电源管理器件。通过反馈控制机制和线性调节原理，该器件能有效抑制电源噪声干扰，并通过优化散热片布局和导热材料应用来提升热管理效率。
SiC vs Si：碳化硅MOSFET在电动汽车中的优势与挑战
碳化硅（SiC）MOSFET凭借其宽禁带半导体特性，展现出显著优于传统硅基器件的性能优势。其通过更低的导通电阻、更高的开关速度及耐高温能力，可显著提升电动汽车的能效与动力响应。
成本与性能的平衡：IPD技术如何助力消费电子小型化与节能化？
IPD技术正成为推动消费电子小型化与节能化发展的关键力量。该技术通过高度集成化设计，将功率器件、控制电路和保护功能整合于单一芯片，显著减小设备体积并提升能效。随着算法等技术的融合，IPD将持续推动消费电子向更轻薄、高效的方向演进。
升降压DC-DC转换器IC技术趋势：宽输入电压、低静态电流与高集成度
升降压DC-DC转换器IC作为现代电源管理系统的核心组件，其技术演进正沿着宽输入电压、低静态电流与高集成度三大方向快速发展，以满足电子设备对高效能、小型化及节能环保的严苛需求。
达灵顿晶体管：高增益功率放大的工作原理与设计要点
达灵顿晶体管通过将两个或多个晶体管级联连接，实现了电流增益的乘积效应，使其在功率放大领域具有独特优势。该结构显著提高了输入阻抗和电流驱动能力，特别适用于音频放大、电机控制等需要大电流增益的场景。
TVS二极管选型全攻略：参数权衡与应用适配解析
在现代电子系统中，TVS 二极管因卓越的瞬态电压抑制能力而不可或缺。选型时，需综合考量反向工作电压、击穿电压、峰值脉冲电流、箝位电压等关键参数，全面权衡，方能构建可靠电路保护体系。
半导体沟槽型SiC MOSFET 芯片：原理、性能与应用前景
沟槽型 SiC MOSFET 芯片借助 SiC 优势，在结构与原理上实现创新，拥有低导通电阻、低开关损耗、高功率密度和良好高温性能等卓越表现。在新能源汽车、智能电网等多领域潜力巨大。
MOSFET和IGBT谁更强？揭秘两大功率半导体器件的性能较量
MOSFET和IGBT作为电力电子领域的核心功率器件，分别在高频低压与大功率高压应用中占据主导地位。两者在结构、导通特性及开关性能上差异显著，选择时需权衡效率、速度与功率需求。
DC/DC 电源模块赋能光伏系统：从电压调控到能源优化
DC/DC 电源模块作为直流—直流电源转换模块，基于电力电子技术的多种拓扑结构实现灵活电压转换。在光伏系统中，它适配光伏板输出电压波动，满足多级电压需求稳定输出电压，优化电源管理并协同其他组件，多维度助力光伏系统。
步进电机VS伺服电机：核心区别与应用场景全解析
步进电机与伺服电机在自动化控制领域举足轻重。步进电机基于电脉冲驱动，虽能精准控制角位移，但低速易振动、开环易丢步。伺服电机借闭环控制及编码器反馈，控制精度极高，转矩输出灵活稳定，响应迅速。
硅基 MOSFET 遇挑战，GaN 功率器件能否后来居上？
在硅基MOSFET曾长期主导功率开关市场，但新兴领域对电源系统的高要求凸显其性能瓶颈。氮化镓（GaN）因独特物理特性和卓越电学性能备受关注，其在高温稳定性、功率密度等方面优势显著，已展现替代硅基MOSFET的潜力。
GaN：开启服务器电源高效新时代的 “钥匙”
氮化镓作为半导体材料佼佼者，以高击穿电场强度、低导通电阻、高频稳定及热稳定性强等优势，在服务器电源领域崭露头角。虽面临成本、兼容性与长期可靠性挑战，但随着材料制备、器件设计制造等技术改进，有望在未来助力数字经济发展。
SiC-MOSFET：驱动电动汽车能源革新的新引擎
SiC - MOSFET凭借碳化硅材料所赋予的宽禁带、高电子迁移率和出色热稳定性等特性，具备低开关与导通损耗、高开关频率以及高功率密度等优势，可提升电动汽车能源转换效率、助力实现小型轻量化设计、增强高温环境适应性。
解锁温度传感器选型密码：应用场景导向下的最优抉择
温度传感器主要涵盖基于塞贝克效应、拥有极宽测量范围且能在恶劣环境稳定工作的热电偶，利用金属或半导体材料电阻值随温度变化特性的热电阻，以及将温度敏感元件与信号调理等电路集成的集成温度传感器三大类。
电池充电IC：消费电子领域的充电核心
电池充电IC工作机制涵盖锂离子电池充电各阶段，通过涓流、恒流、恒压充电模式确保安全高效充电。从类型看，线性、开关、电荷泵充电IC各有优劣及适用场景。未来，更优的充电IC将推动消费电子持续创新，提升用户体验。
开关电源中MOSFET雪崩失效机理及应对策略的深度剖析
MOSFET的雪崩失效常见且具破坏性，源于外部电压异常升高与内部寄生NPN型晶体管共同作用。工程上常通过降额使用、优化变压器设计及采用电压吸收电路等策略应对，协同降低雪崩风险，推动电力电子技术发展。
一文读懂！无刷、有刷直流电机的抉择指南
有刷直流电机靠电刷和换向器工作，结构简单但有磨损等问题。无刷直流电机基于电磁感应，借助电子换向，可靠性高。二者在性能、成本、维护及应用场景上差异显著，选型需综合考量多因素，才能确保设备高效稳定运行。
ROHM推出支持负电压和高电压（40V/80V）的高精度电流检测放大器
中国上海，2025年4月8日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，最新推出符合车规标准AEC-Q100*1的高精度电流检测放大器“BD1423xFVJ-C”和“BD1422xG-C”。
功率器件新变局：碳化硅 MOSFET 加速替代超结 MOSFET
超结 MOSFET 曾凭借成熟工艺与低成本支撑诸多应用，但在高要求下其制造工艺复杂、高温性能劣化、高频开关速度慢等短板尽显。而碳化硅 MOSFET 基于碳化硅宽禁带材料，在耐压、散热、开关速度等方面优势显著。
IGBT - IPM：逆变器应用的核心驱动力及优势剖析
IGBT融合双极型三极管与绝缘栅型场效应管优势，在高压变流系统适应性强，而IPM以IGBT为核心，集成驱动与保护电路，二者在逆变器应用中优势显著，可简化设计、保障可靠且适用性极为广泛。
升压LED驱动器——电子照明系统的关键“引擎”
升压 LED 驱动器地位关键，需适配 LED 电气特性提升电压、精准控流。其含线性与开关式，各有优劣。当下，受能源危机与物联网发展影响，它正朝着提升转换效率与功率密度、智能化与网络化方向发展，将在照明行业持续发挥核心推动作用。
肖特基二极管关键参数详解：正向压降、反向耐压与结电容
肖特基二极管在交流电转直流电、高频电流切换领域举足轻重。它正向压降极低，大幅降低导通能耗，且受温度与电流影响。不过，其反向耐压较低，因材料、结构不同而表现各异，设计时必须考虑电压波动等。
揭秘DCDC升压电路无法振荡的背后：设计、元件与外部干扰
DCDC升压电路通过高频振荡、脉冲变压器升压及脉冲整流实现低电压到高电压的转换，振荡环节至关重要。电路无法振荡的原因涵盖电路设计层面如反馈回路与元件参数匹配不当、布局布线不合理，以及外部因素如电源电压波动、负载异常和电磁干扰等。
