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告别拖尾电流：SiC MOSFET的高速运行与低损...

在新能源汽车、光伏发电及工业电源等领域蓬勃发展的背景下，功率半导体器件性能至关重要，SiC MOSFET凭借碳化硅材料高禁带宽度、高击穿电场等特性与优化器件结构，攻克传统硅基器件拖尾电流难题，实现高速运行与低损耗。

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