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中国上海，2025年6月10日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，该模型提升了收敛性和仿真速度。
SiC 功率模块基于 SiC 材料禁带宽度大、击穿电场强度高等特性，其芯片中 SiC MOSFET 与 SiC SBD 协同降低导通和开关损耗，搭配倒装芯片等先进封装技术，在多领域实现高效能功率转换，推动行业技术变革。
三相无刷电机驱动器借电子换向驱动电机，其性能优化需从多维度入手。控制算法上，矢量控制解耦电流提升动态响应，直接转矩控制简化结构减脉动；硬件设计中，功率器件选型、驱动电路设计及电源模块、散热、EMC 和传感器技术优化均为关键，各环节协同提升系统效能。
微控制器以高集成度、低功耗和可编程性，成为智能家居核心。从单品控制的基础逻辑处理，到联网控制集成无线通信模块，再到通过标准化协议实现全屋互联，同时兼具数据处理、抗干扰与故障诊断能力，推动智能家居技术落地。
在半导体技术发展下，GaN 凭高击穿电场等特性革新功率电子领域。其器件分增强型和耗尽型，主流增强型靠二维电子气工作，需栅极驱动器具高开关速度、低损耗等特性，有隔离和非隔离架构。
