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上传时间 2025-05-19
近年来,为缩短充电时间,智能手机等配备大容量电池的小型设备中,配备快速充电功能的产品日益增多。这类设备需要具备双向保护功能以防止在非供电状态时电流反向流入外围IC等器件。此外,为了在快速充电时支持大电流,智能手机等制造商对MOSFET有严格的规格要求,如最大电流为20A、击穿电压为28V至30V、导通电阻为5mΩ以下等。然而,普通MOSFET产品若要满足这些要求,就需要使用2枚导通电阻较低的大体积MOSFET,而这会导致安装面积增加。为了解决这个问题,罗姆开发出采用超小型封装并具备低导通电阻的MOSFET“AW2K21”,非常适用于大功率快速充电应用。了解更多详情,请点击:https://url.eefocus.com/3r2q(复制链接至浏览器即可查看)