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在半导体技术发展下，GaN 凭高击穿电场等特性革新功率电子领域。其器件分增强型和耗尽型，主流增强型靠二维电子气工作，需栅极驱动器具高开关速度、低损耗等特性，有隔离和非隔离架构。
数字晶体管自带偏压电阻，输入 - 输出呈线性关系。其独特结构含不同组合电阻，兼具尺寸小、高线性度、低功耗与高集成优势，通过控制电流与信号，广泛应用于计算机、汽车电子、工业自动化等领域 。
开关频率对升压 LED 驱动器性能影响显著。它通过改变功率器件开关次数，影响能量转换效率、输出纹波、动态响应等性能，还与电感、电容参数匹配相关。实际应用中需综合考量效率、纹波等多因素，选择合适开关频率。
中国上海，2025年6月10日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，该模型提升了收敛性和仿真速度。
硅电容基于半导体工艺，借硅材料特性实现电荷存储，具高精度、低ESR等优势；MLCC采用叠层工艺，靠陶瓷介质极化工作，电容值范围广。二者因结构与原理差异，在电气性能、应用场景上各展所长，推动电子系统发展。
