正海集团与罗姆就成立合资公司达成协议,主营以碳化硅为核心的功率模块业务

分享到:

正海集团有限公司(以下简称“正海集团”)与ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)签署合资协议,双方将成立一家主营功率模块业务的新公司。

新公司名为“上海海姆希科半导体有限公司(英文名:HAIMOSIC (SHANGHAI) CO.,LTD.)”,计划于2021年12月在中国国内成立,出资比例为正海集团旗下的上海正海半导体技术有限公司(以下简称“正海半导体”)占80%,罗姆占20%。

新公司将致力于发展新能源汽车牵引逆变器用的先进功率模块业务,开发、设计、制造和销售使用碳化硅(SiC)功率元器件的功率模块,并将正海集团旗下公司的逆变器技术、模块开发技术与罗姆的模块生产技术、先进的碳化硅芯片技术相融合,开发高效率的功率模块。

预计新公司开发的模块产品将于2022年投入量产,并已计划用于电动汽车。

正海集团和罗姆将与新公司密切合作,通过碳化硅功率模块的开发和推广,为技术的进一步创新做出贡献。

正海集团有限公司 董事长 秘波海表示:

“罗姆是一家令人尊敬的全球领先的碳化硅元器件企业,正海集团与罗姆成立合资公司开展碳化硅功率模块业务,一定会为功率模块市场带来新的变化。通过三十余年的发展,正海集团在稀土永磁、再生医学、汽车内饰、电子信息等多个行业积累了丰富的产业化经验。正海集团将功率模块业务定位于集团的战略性业务板块,将在资金、人才方面给予最大的支持。我相信,借助罗姆全球领先的功率元器件技术与正海的产业化能力,合资公司一定能够为中国功率模块行业的发展做出贡献。”

ROHM Co., Ltd. 董事长 松本 功表示:

“我们很荣幸能够与在中国多元化发展的正海集团共同成立合资公司。作为碳化硅功率元器件的先进企业,罗姆一直致力于开发全球先进的元器件,并提供与外围元器件相结合的功率解决方案。新能源汽车在中国发展势头良好,新公司的功率模块开发,将为碳化硅功率器件在新能源汽车中的应用提供强有力的后盾,并对其他应用的研究发挥重要作用。我们希望通过正海集团和新公司的业务,促进双方的进一步发展与进步。”

<10月1日合资协议线上签约仪式>

正海集团有限公司 董事长 秘波海(图右)上海正海半导体技术有限公司 执行董事 王庆凯(图左)

正海集团有限公司 董事长 秘波海(图右)
上海正海半导体技术有限公司 执行董事 王庆凯(图左)
ROHM Co., Ltd. 董事长 松本 功(图右) 功率和分立元器件事业本部 本部长 有山 诏(图左)
ROHM Co., Ltd. 董事长 松本 功(图右)
功率和分立元器件事业本部 本部长 有山 诏(图左)

 

<新公司简介>

2

 

<关于正海集团>

正海集团创建于1990年,是山东省重点企业集团。公司从生产单一的彩管荫罩产品起步,发展到目前涉足稀土永磁、再生医学、汽车内饰、电子信息等多个行业,形成了以制造业为主体的多元化发展格局。集团现有十多家子公司,其中有8家子公司被认定为高新技术企业,2家创业板上市公司,2家专精特新“小巨人”企业,2家省级瞪羚企业。建有国家认定企业技术中心、国家地方联合工程研究中心和博士后研究工作站等创新平台3个,省级企业技术中心、省级工程技术研究中心、省级工程实验室等创新平台13个。先后承担国家863计划重大项目10项,国家重点研发计划4项,国家火炬计划项目7项。
如欲进一步了解详情,请访问正海集团官网:www.zhenghai.com

 
 
继续阅读
ROHM开始提供业界先进的“模拟数字融合控制”电源——LogiCoA™电源解决方案

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向中小功率(30W~1kW级)的工业设备和消费电子设备,开始提供LogiCoA™电源解决方案,该解决方案能以模拟控制电源*1级别的低功耗和低成本实现与全数字控制电源*2同等的功能。

隧道二极管技术:全球发展及未来探索

隧道二极管作为关键半导体器件,在高速开关、高频振荡等领域发挥重要作用。材料科学、纳米技术的发展将推动其技术革新,实现性能提升。同时,集成化、微型化及智能化发展也是未来重要方向。国际上隧道二极管研究集中在材料优化、制造工艺提升等方面,国内也呈现出蓬勃态势。

隧道二极管技术突破:性能提升与难点攻克新路径

隧道二极管基于隧穿效应工作,需精确控制材料、掺杂和几何结构以提升性能。然而,其热稳定性差、电路设计复杂、脉冲幅度小以及制造难度高限制了应用。为解决这些问题,需研究新材料、工艺以降低生产成本并提高稳定性。

隧道二极管:隧穿效应揭秘,负阻特性引领新应用

隧道二极管,利用量子力学中的隧穿效应工作,其核心结构是高度掺杂的p-n结,形成了非常窄的耗尽区。在电压作用下,电子能够直接通过量子隧穿效应穿越耗尽区,形成独特的非线性电流-电压关系,表现为负微分电阻效应。这使得隧道二极管在高频振荡、放大、高速开关及低噪声器件等方面具有独特应用优势。

碳化硅比热容:技术现状与未来发展方向探析

碳化硅(SiC)的比热容是其关键物理性质,随温度变化而展现独特优势,尤其在高温应用中。当前,通过实验测定和理论计算,科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究,揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。