浅谈MOSFET的SOA
想了解一个硬件工程师是不是懂三极管和MOSFET，其中一个很好的问题是问他是否了解SOA（Safe Operating Area 安全工作区）。十年前，晶体管的规格书几乎都不会提到SOA，只有很资深的工程师会向厂家索要专门的SOA图或测试报告，但今天多为数一线厂家的规格书会明确给出SOA图。以至于很多硬件工程师不知道SOA这个概念，甚至一些有着十年研发经历的工程师都没有听过SOA。
下图是一个MOSFET的SOA图。
Note F. These curves are based on the junction-to-case thermal impedence which is measured with the device mounted to a large heatsink, assuming a
maximum junction temperature of TJ(MAX)=175°C.
大家可以看到SOA图中有多根曲线，分别标示着RDS(on) limited、DC、10ms、1ms、100us、10us。RDS(on)曲线可以看到，当VDS电压在比较小时，由于MOSFET RDS(on)的存在而限制着流过DS的电流。而DC曲线则表示当流过电流为连续的直流电流时，MOSFET可以耐受的电流能力。其它标示着时间的曲线则表示MOSFET可以耐受的单个脉冲电流（宽度为标示时间）的能力。
SOA曲线表示MOSFET的应用，必需确保其工作在SOA内，即工作点在曲线的下方。如果工作点在曲线的上方，则意味着管子可能烧坏。
同时应注意到此SOA曲线的条件是：在25度环境温度下，同时管子是安装在一个大散热器上。如果实际应用工作温度高于25度，或者管子安装的散热条件比较差的情况下，需要进一步地降额，以确保管子工作安全。
在产品设计中，经常会碰到应用在开关电路上的三极管或MOSFET烧坏的情况，其中一种应用是作电源开关时，在管子打开瞬间，由于开关后端负载为容性负载，瞬间电流非常高，如果选用的管子耐受脉冲电流的能力比较弱，则非常容易烧坏。
有兴趣进一步了解晶体管的SOA的，可以阅读来自RoHM的参考资料，这篇文章详细介绍了晶体管安全工作的选型方法、相关基础知识，以及降额的工程计算方法，相信会对大家进一步理解SOA会非常有帮助。
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社会的飞速发展，人们生活质量的不断提高，电子产品逐渐进入我们的生活，而且与我们的生活发生了不可分割的关系，与此同时人们也对电子产品性能的要求也在不断的提高，众所周知在生产电子产品的时候，一定离不开电子元器件的功劳，其中最典型的代表人物莫过于MOS管与三极管，它们就仿佛是电子产品的保护伞一般，一直保护着电子产品不受静电的侵害，以下本文将详细介绍二者的基本特性与应用设计以及二者之间的区别。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失;降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
本文对于MOSFET和晶体管分别进行了详细介绍以及将二者进行了对比，总之，MOSFET和晶体管各有优缺点，具体应用需要根据实际情况选择。
MOSFET是具有源极（Source），栅极（Gate），漏极（Drain）和主体（Body）端子的四端子设备。通常，MOSFET的主体与源极端子连接，从而形成诸如场效应晶体管的三端子器件。MOSFET通常被认为是晶体管，并且在模拟和数字电路中都使用。
前阵子提到了IGBT的优势及发展，之后当然不能少了双子星的另一位——MOSFET了。随着 MOSFET 和 IGBT 之间选择的激增，当今的设计人员越来越难以为其应用选择最佳设备。 究竟何时何用该选择哪一个呢，切勿操之过急，仔细往下看你就能懂了。
