不容错过!罗姆携先进解决方案亮相2019 PCIM!

分享到:

关于PCIM Asia 上海国际电力元件、可再生能源管理展览会

PCIM Asia 上海国际电力元件、可再生能源管理展览会是中国领先的电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理展览会暨研讨会,由广州光亚法兰克福展览有限公司、上海浦东国际展览公司和德国美赛高法兰克福展览有限公司联合举办。

本届展会将于6月26至28日在上海世博展览馆举行。为期三天的展会预计将吸引逾8,000名专业观众莅临,并汇聚逾100家企业到场参展,共同展示行业最新技术成果。产品展示范围包括功率半导体元件及模块、电子元件、功率转换器及测量和检验等。

 

罗姆将于2019年6月26至28日参加在上海世博展览馆举办的PCIM Asia 上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(展位号:2号馆E19),届时将展示面向工业设备和汽车领域的、以世界先进的SiC(碳化硅)元器件为核心的电源解决方案。同时,罗姆工程师将于6月26日在展会现场举办的“电力电子应用论坛”上发表演讲,分享罗姆最新的碳化硅技术成果。

 

 

 

ROHM展位指南

 

 

时间:2019年6月26日(周三)~28日(周五)09:00~16:30

(仅28日15:00结束)

会场:上海世博展览馆 2号馆 

展位号:E19

地址:上海市浦东新区 国展路1099号

交通:地铁7、8号线(耀华路站)、8号线(中华艺术宫站3号口)可直达展馆。

 

展位效果图

1

 

 

会场平面图

 

 

3

 

 

出展产品一览

 

 

罗姆拥有世界先进的SiC为核心的功率元器件技术,以及充分发挥其性能的控制IC和模块技术,在提供电源解决方案的同时,为工业设备和汽车领域的节能化、小型化做出贡献。

 

此次,针对日益增长的中国市场需求,罗姆将重点展示以下产品和解决方案:

(欢迎点击方案名称前往了解)

 

 

  除了以上丰富的产品及解决方案展示以外,届时还将有来自罗姆的专业销售和经验丰富的技术人员助阵现场,互动交流!

继续阅读
碳化硅比热容:技术现状与未来发展方向探析

碳化硅(SiC)的比热容是其关键物理性质,随温度变化而展现独特优势,尤其在高温应用中。当前,通过实验测定和理论计算,科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究,揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。

探索碳化硅比热容:材料性能与温度变化的奥秘

碳化硅(SiC)的比热容是其关键热学性质,随温度升高而增大,展现了在高温环境下的出色热稳定性。SiC的比热容受纯度、晶体结构和颗粒大小等因素影响。高比热容使SiC在电子器件、陶瓷材料和核反应堆等领域有广泛应用。通过控制晶粒尺寸、减少杂质、引入高导热第二相材料和表面改性,可优化SiC的热性能。

SiC仿真:塑造电力电子未来发展趋势

SiC仿真工具作为SiC功率器件研发的关键支持,其未来发展方向多元化且与应用领域紧密相关。未来,SiC仿真工具将注重提高精度和效率,更新丰富模型库以适应新型器件结构,与其他设计工具、测试平台集成实现研发闭环,应用智能化技术提升自动化和智能优化水平。

碳化硅元器件:强化可靠性验证新策略(下)

碳化硅材料在电力电子和航空航天等领域的应用日益广泛,其可靠性验证至关重要。碳化硅材料因其高温稳定性、高硬度和抗辐射能力而受到青睐。然而,可靠性验证面临高成本、长周期、技术难度和影响因素多等挑战。未来研究将注重极端环境下的性能评估与失效机理研究,以提升碳化硅元器件的可靠性。通过深入探索失效机理和建立寿命预测模型,有望为碳化硅元器件的稳定性和安全性提供有力保障。

碳化硅元器件:强化可靠性验证新策略(上)

碳化硅作为一种高性能陶瓷材料,在极端环境下表现出优异的稳定性,广泛应用于电力电子和航空航天领域。其可靠性验证涉及模拟多种实际工作环境和条件,包括温度、湿度、振动等,以评估元器件在实际使用中的可靠性。验证过程中还需关注电气性能变化、结构和工艺缺陷,并通过数据分析与评估提出改进建议。具体测试方法包括温度循环、湿度测试、振动冲击模拟,以及电气性能测试如绝缘电阻、耐压和负载能力测试。