【R课堂】正电压浪涌对策

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在上一篇文章中，给出了一个针对栅极-源极电压中产生的浪涌的抑制电路示例。本文将会通过示例来探讨正电压浪涌的对策和其效果。

关于SiC功率元器件中栅极－源极间电压产生的浪涌，在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件 应用篇的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”中已进行了详细说明。

正电压浪涌对策

右图显示了同步升压电路中LS导通时栅极－源极电压的行为，该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件（II），即HS（非开关侧）的VGS的正浪涌，正如在上一篇文章的表格中所总结的，采用浪涌抑制电路的米勒钳位用MOSFET Q2、或误导通抑制电容器C1是很有效的方法（参见下面的验证电路）。

为了验证抑制电路的效果，将抑制电路单独安装在SiC MOSFET（SCT3040KR）的驱动电路上并观察了其波形。下面是所用SiC MOSFET的外观和主要规格，仅供参考。

以下电路为用来验证的抑制电路，共四种：（a）无抑制电路，（b）仅有米勒钳位用的MOSFET（Q2），（c）仅有钳位用的肖特基势垒二极管D2、D3、C2，（d）仅有误导通抑制电容器C1。通过“双脉冲测试”确认了GS的浪涌电压。

下面是使用了各验证电路的双脉冲测试的波形。这是导通时的波形，从上到下依次显示了开关侧栅极－源极电压（VGS_HS）、非开关侧栅极－源极电压（VGS_LS）、漏极－源极电压（VDS）、和漏极电流（ID）。同时，给出了前述的抑制电路（a）、（b）、（c）的波形，并将上一篇文章中的正电压抑制电路（b）的波形作为“（e）”一并列出。（e）的电路是配备了前述（b）～（d）所有抑制电路的电路。

从上面的波形图中可以明显看出，在没有对策电路的（a）和只有钳位SBD的（c）中，可以看到结果是未能抑制正浪涌电压，VGS_LS波形隆起，并显著超过了栅极导通阈值，ID也比其他电路大。也就是说，非开关侧的MOSFET（在本例中为LS）发生了误导通。

有奖问答：从ID的波形中也可以看出，当连接了误导通抑制电容器C1时，会导致什么？

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