【R课堂】所谓MOSFET－阈值、ID-VGS特性及温度特性

管理-小R · 发表于 2022-10-20 13:06:12

继上一篇MOSFET的开关特性之后，本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。

MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压

MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压是为使MOSFET导通，栅极与源极间必需的电压。也就是说，VGS如果是阈值以上的电压，则MOSFET导通。

可能有人问，这种“MOSFET导通”的状态，到底是“电流ID是多少的状态呢？”。的确，ID随VGS而变化。从VGS(th)的规格值的角度看，只要条件没有确定，就无法保证VGS(th)的值，因此在MOSFET的技术规格中规定了条件。这个表是从N-ch 600V 4A的功率MOSFET：R6004KNX的技术规格中摘录的。

蓝线框起来的是VGS(th)，条件栏中VDS=10V、ID=1mA，该条件下保证VGS(th)最小3V、最大5V（Ta=25℃）。

也就是使VGS不断上升，则MOSFET开始导通（ID流出），ID为1mA时VGS为3V以上5V以下的某个值，该值就是VGS(th)。表达的方法有很多，可以将VDS=10V、ID=1mA时定义为MOSFET的导通状态，将此时的VGS作为VGS(th)，值在3V～5V之间。

顺便提一下，不仅局限于MOSFET，相对于输入，输出和功能的导通/关断等某种状态改变的电压和电流的值称为“阈值”。

VGS(th)、ID-VGS与温度特性

首先从表示ID-VGS特性的图表中，读取这个MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的条件是一致的。ID为1mA时的VGS为VGS(th)，因此Ta=25℃的曲线与1mA（0.001A）的线交界处的VGS约3.8V。技术规格中虽未给出代表值（Typ），但从图表中可以看出，VGS(th)的Typ值为3.8V左右。图表的值基本上可理解为Typ值。

然后是ID-VGS特性，作为VGS(th)的规格值，ID=1mA即可，但实际使用时，没有使用4A的MOSFET、ID为1mA的使用方法。例如Ta=25℃，需要1A的ID时，从这张图表中可以看出，所需的VGS为5.3V左右。