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【R课堂】EMI对策

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发表于 2022-11-15 10:45:37 | 显示全部楼层 |阅读模式
近年来,EMC可谓是电子设备的重要课题之一。世界各国对EMC都有限制规定,在进行设备设计时必须满足相关要求。在此之前,可以说是因为存在当开关电源散布噪声时将使设备的S/N降低,从而使设备无法满足规格要求的情况,因此必须采取噪声对策。
另外,由于偶见混淆EMC和EMI等术语的情况,下面先整理一下这些术语。
・EMI(Electro Magnetic Interference):电磁干扰
电波和高频电磁波成为噪声而影响电子设备等,或是会造成影响的电磁波。
-传导噪声:经由线缆和PCB板布线传导的噪声
> 差模(常模)噪声:发生在电源线之间,且传输方向和电流相同的噪声
> 共模噪声:透过金属外壳等,通过杂散电容等,回到信号源头的噪声
-辐射噪声:释放到空气中的噪声
・EMS(Electro Magnetic Susceptibility):电磁敏感性
指即使受到电磁波的妨碍、干扰(EMI:传导噪声及辐射噪声)也不会引起损坏的能力与耐受性。
・EMC(Electro Magnetic Compatibility):电磁兼容性
EMI+EMS。辐射(Emission:排放,发射)对策和抗扰性(Immunity:耐受性)的兼容及其对策。
EMI从路径来看,分成传导噪声和辐射噪声,传导噪声根据传导方式,又可以再细分成差动模式噪声和共模噪声。

EMI对策
正如在上述术语解说中所述,EMI是会对其他电路造成影响的,因此,其对策的关键是防止产生噪声。产生噪声的主要原因是大电流开关的节点或线路。基本对策是增加起到阻抗匹配和旁路/滤波作用的电容器、电阻/电容电路。下面再次给出整体电路,一起来看一下对策要点。

・在输入端增加滤波器
输入电压是带有纹波的高电压,并通过内置MOSFET来高速ON/OFF,所以在输入端增加滤波器可降低噪声。
・在内置MOSFET的漏极-源极间增加电容器
即电路图中的C8。电容值需要47~100pF左右,耐压需要500V以上。这种做法可降低高速开关引起的OFF时的浪涌。另外也是一种缓冲方式。但是,会增加损耗,因此必须注意温度上升情况。


有奖问答:右侧电路图是在输出端增加了LC滤波器的示例。L2是10µH,C10是____µF~____µF左右)
Tips:点击阅读原文,获得答案
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