【R课堂】DC/DC 评估篇⑦同步整流降压转换器的栅极电荷损耗

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本文将探讨功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗，即下图的高边和低边开关的“PGATE”所示部分。

示例电路图

栅极电荷损耗
栅极电荷损耗是由该例中外置MOSFET的Qg（栅极电荷总量）引起的损耗。当MOSFET开关时，电源IC的栅极驱动器向MOSFET的寄生电容充电（向栅极注入电荷）而产生这种损耗（参见下图）。这不仅是开关电源，也是将MOSFET用作功率开关的应用中共同面临的探讨事项。

栅极电荷损耗电路图

栅极电荷损耗波形图

栅极电荷损耗电路图参数说明

损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考IC的技术规格书。


从该公式可以看出，只要Qg相同，则开关频率越高损耗越大。MOSFET的选型和开关频率因电路设计而异，因此，是非常重要的探讨事项。为了确保与其他部分之间的一致性，这里给出了开关的波形，但没有表示栅极电荷损耗之处。

有奖问答：从提供MOSFET所需的________看，驱动器电压不会因电路或IC而有太大差异。

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