罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一。罗姆(ROHM)推出的SCT2080KE、SCT2160KE、SCT2280KE三款N沟道功率MOSFET,具有高耐压、低导通电阻、高速开关等优势,易于驱动,符合RoHS无铅标准,是环境友好型器件。主要应用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、感应加热、电机驱动、开关模式电源(SCT2160KE、SCT2280KE)等领域。SCT2080KE、SCT2160KE、SCT2280KE N沟道功率MOSFET均采用TO-247的封装方式,其外观图和电路图见图1、图2所示。
图1 SCT2080KE、SCT2160KE、SCT2280K N沟道功率MOSFETE外观图
图2 SCT2080KE、SCT2160KE、SCT2280KE N沟道功率MOSFET电路图
在电气特性方面。当Ta=25℃时,SCT2080KE、SCT2160KE、SCT2280KE N沟道功率MOSFET漏源电压均为1200V,连续漏极电流分别为40A、22A、14A,脉冲漏极电流分别为80A、55A、35A;功耗分别为262W、165W、108W,满足高压大功率电力系统的功率要求。同时,拥有宽广的存储温度范围,均为-55℃~175℃,结温均高达175℃。具有出色的耐高温性能和极强的环境适应能力,满足工业环境应用要求;管壳热阻最大值分别为0.57℃/W、0.91℃/W、1.39℃/W,热传递性能佳,能够有效导出工作产热。在大功率系统中,可确保系统不会因为损耗过大导致结温过高而损坏芯片,更好的应用于高温环境。
除此之外,SCT2080KE、SCT2160KE、SCT2280KE N沟道功率MOSFET的上升时间分别为36ns、25ns、19ns,下降时间分别为22ns、27ns、29ns。其内置二极管的反向恢复时间分别为31ns、26ns、22ns。反向恢复速度快,开关频率高。三款产品的漏极-源极通态电阻典型值分别为80mΩ、160mΩ、280mΩ。导通状态损耗极低,工作效率高。
SCT2080KE、SCT2160KE、SCT2280KE N沟道功率MOSFET特点: •低导通电阻 •转换速度快 •反向恢复快 •易于驱动 •无铅电镀 •符合ROHS无铅认证 SCT2080KE、SCT2160KE、SCT2280KE N沟道功率MOSFET应用领域: •太阳能逆变器 •DC / DC转换器 •感应加热 •电机驱动 •开关模式电源(SCT2160KE、SCT2280KE)
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