基于IGBT模块驱动及保护技术

ImCQ · 发表于 2019-4-12 14:03:33

IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，
又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率
晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率
应用中占据了主导地位。
IGBT作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生锁定现象而造成
损坏的问题。在过流时如采用一般的速度封锁栅极电压，过高的电流变化率会引
起过电压，为此需要采用软关断技术，因而掌握好IGBT的驱动和保护特性是十
分必要的。

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shakencity · 发表于 2019-4-12 15:38:59

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