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ROHM推出的BS2101F是一款单片高侧和低侧栅极驱动IC，可通过自举操作驱动高速功率MOSFET和IGBT驱动器。 浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。 逻辑输入可以使用3.3V和5.0V。 当VCC和VBS低于指定的阈值电压时，欠压锁定（UVLO）电路可防止发生故障。
栅极驱动器BS2101F特征 ● 用于自举操作的浮动通道电压高至+600V ● 栅极驱动电源范围为10V至18V ● 两个通道内置欠压锁定 ● 兼容3.3V和5.0V输入逻辑 ● 两个通道的匹配传播延迟 ● 与输入同相输出 栅极驱动器BS2101F主要规格 ● 高侧浮动电源电压：600V ● 输出电压范围：10V至18V ● 最小输出电流Io+/ Io-：60mA / 130mA ● 开启/关闭时间：220ns（典型值） ● 延迟匹配：50ns（最大） ● 偏置电源漏电流：50μA（最大值） ● 工作温度范围：-40°C至+125°C
栅极驱动器BS2101F封装 W（典型值）x D（典型值）x H（最大值） SOP-8 5.00mm x 6.20mm x 1.71mm
栅极驱动器BS2101F应用 ● MOSFET和IGBT高侧驱动器应用 栅极驱动器BS2101F典型应用电路
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发表于 2019-5-21 15:51:08
