650V/118A N沟道功率MOSFET SCT3017AL，导通电阻低

shakencity · 发表于 2019-6-14 15:51:58

SCT3017AL是ROHM公司推出的N沟道功率MOSFET，其漏-源电压VDSS 为650V，持续漏极电流ID 可达118A（@Tc = 25°C），导通电阻典型值仅为17mΩ（@VGS = 18V, ID = 47A，Tj = 25°C）。SCT3017AL凭借低导通电阻、高速转换与快速反向恢复等优势，且易于驱动，符合RoHS标准，可应用于太阳能逆变、DC/DC转换、感应加热、电机驱动、开关电源等应用领域。

SCT3017AL功率MOSFET采用TO-247N封装方式，其外形图与电路结构见图1所示。

图1 SCT3017AL功率MOSFET外形图与电路结构

SCT3017AL的漏极电流，驱动电压等关键参数见图2所示。其VGS (th)阈值电压范围为2.7 -5.6 V，典型（测试条件VDD = 300V, ID = 18A，VGS = 18V/0V，RL = 17Ω，RG = 0Ω）上升时间为44ns，下降时间为31 ns。典型（测试条件IF = 47A, VR = 300V）反向恢复时间31 ns。图3为SCT3017AL的转换特性的描述。

图2 SCT3017AL功率MOSFET关键电气参数

图3 SCT3017AL转换特性

SCT3017AL为 SiC 型MOSFET, 与硅、砷化镓系列相比，其转换频率更高以及具备更低的导通电阻。在MOSFET应用中，经常会遇到因为驱动回路的不对称等因素导致的MOSFET导通、关断时间不一致，因此选择优良性能的MOSFET以及合适的外部驱动至关重要。另外，在MOSFET并联应用中，需要关注并联电路的电流分配不均匀问题，搭建电路尽量选择参数一致的MOSFET，尽量减少栅极电阻以及采取合理的布置器件与走线方式，SCT3017AL在结构设置上有针对的降低了驱动电路设计的复杂性，在一定程度上可以缩减产品开发时间。

图4为SCT3017AL的包装规范说明。