1Mbit低功耗串行EEPROM BR24T1M-3AM，满足工业存储需求

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ROHM的BR24T1M-3AM是I2C总线接口方法的串行EEPROM。本系列包括两种不同型号的存储器：BR24T1MFJ-3AM与BR24T1MF-3AM。这两种型号的基础参数大致相同，每页中的字节数均为256字节，电源电压均为1.7V to 5.5V，位格式均为128K×8，容量为1Mbit，储存温度为-65°C~+150°C，操作温度为-40°C~+85°C，满足工业芯片的要求的基本参数规格。

图一：BR24T1M-3AM 串行EEPROM封装外观图

两型号的区别如图所示：BR24T1MFJ-3AM的封装形式为SOP-J8，而BR24T1MF-3AM

的封装形式为SOP8。另外BR24T1MFJ-3AM采用的尺寸为4.90mm x 6.00mm x 1.65mm，而BR24T1MF-3AM采用的尺寸为5.00mm x 6.20mm x 1.71mm。

BR24T1M-3AM串行EEPROM具有很多优势。首先最大的性能优势为存储器容量1Mbit，这在存储器中并不多见。2个串行时钟（SCL）端口和串行数据（SDA）可以提供所有控制；除EEPROM之外的其他器件可以连接到同一个端口，节省了微控制器端口；添加了防止低电压写入错误功能与WP（写保护）功能，用于防止写入错误；自定时编程周期特性使得存储器的运用更加便捷；针对出厂时的初始值写入采用了页写入模式；超过100万个写周期；与超过40年的数据保留，使得数据存储更长久化； 低电流的特点很大程度上节省了功率的消耗，写操作时电流值为4.5mA，读操作时电流值为2.0mA，待机操作时电流值为3.0μA。此外SCL/ SDA端子内置噪声滤波器等特点也使得此系列存储器应用价值得以提高。

图二：BR24T1M-3AM引脚图

BR24T512-3AM串行EEPROM主要由A0、A1、A2、VCC、WP、SCL、SDA与GND 8个引脚组成，A0为空闲引脚，暂时没有被使用，A1与A2为从站地址设置引脚，VCC为连接电源引脚，SCL为串行时钟输入引脚，WP为写保护端子引脚，SDA引脚用于串行数据输入输出，GND 为所有输入/输出的参考电压引脚，一般设置为0V。

BR24T512-3AM串行EEPROM特征：

·所有控制均由2个串行时钟（SCL）和串行数据（SDA）端口提供

·可以连接除EEPROM之外的其他设备

·节省微控制器端口

·1.7V至5.5V单电源操作最适合电池使用

·工作电压范围为1.7V至5.5V，可能工作在1MHz

·页写入模式

·自定时编程周期

·低功耗

·防止写入错误

·SCL/ SDA端子内置噪声滤波器

·存储器初始数据为FFh

·符合AEC-Q100 Grade3标准

BR24T1M-3AM系列EEPROM产品典型应用：

·电信

·汽车

· 工业

·医疗

·个人计算机

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