IGBT的门极对静电等非常敏感的注意事项

gaosmile

与MOS管类似，IGBT的门极对静电等非常敏感，因此在使用IGBT模块时应遵循如下注意事项：

1）IGBT 模块的 VGE额定值一般最大为±20V。在 IGBT 的 G-E 间外加超过VGE额定值的电压时，IGBT 的门极就有损坏的危险，应注意不要在G-E间外加超出额定值的范围。

2）使用模块时，先让人体和衣服上所带的静电通过高电阻（1MΩ左右）接地线放电后，再在接地的导电性垫板上进行操作。

3) 使用 IGBT 模块时，要拿封装主体，不要直接触碰端子（特别是控制端子）部分。

4) 对 IGBT 端子进行锡焊作业的时候，为了避免由烙铁、烙铁焊台的泄漏产生的静电外加到IGBT 上，烙铁前端等要用十分低的电阻接地。

G-E间开路状态下的IGBT

5）IGBT 模块需要用IC泡沫材等导电性材料对控制端子采取防静电对策后出库。这种导电性材料在产品进行电路连接后才能去除。另外，当门极-发射极间开路，集电极-发射极间施加电压时，IGBT 有可能受损。这是由于集电极电势的变化，如图所示引起电流（i）流过，门极电势上升，IGBT开通，集电极电流流过，从而使IGBT发热甚至有受损的可能性。产品装入应用场合时，在门极电路故障，或者门极电路不能正常工作的状态下（门极开路的状态），主电路上外加电压时，也会由于上述理由使 IGBT 受损。为了防止这种损坏的发生，推荐在门极-发射极间连接 10kΩ(RGE)左右的电阻。

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