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RGWxx65C系列是使用低损耗SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）作为IGBT续流二极管的Hybrid型IGBT，与使用快速恢复二极管（FRD）的IGBT相比，可以显著降低损耗。该系列产品非常适用于电气化车辆（xEV）中的车载充电器和DC/DC转换器、太阳能发电用的功率调节器和工业逆变器等处理大功率的汽车电子设备和工业设备。目前推出的650V耐压产品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。 ＜内置SiC二极管的IGBT：RGWxx65C系列的亮点＞ - 使用SiC SBD作为续流二极管的Hybrid IGBT
- 650V耐压，IC(100℃) 30A/40A/50A有3种可选
- 通过使用SiC SBD，显著降低了导通时的开关损耗
- 用于xEV车载充电器时的损耗降低情况
- ① 与使用Si快速恢复二极管（Si FRD）的IGBT相比，开关损耗降低67%
- ② 与损耗比IGBT更低的Super Junction MOSFET（SJ-MOSFET）相比，开关损耗降低了24%
- 符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101
- 在降低应用产品的功耗方面具有非常高的性价比
- ROHM官网免费提供应用指南和SPICE模型等丰富的设计数据
- TO-247N封装（TO-263L表贴型封装产品正在开发中）
使用SiC SBD可显著减少开通损耗，并大大降低应用产品的功耗 “RGWxx65C系列”是使用ROHM的低损耗SiC SBD作为IGBT续流二极管的IGBT产品。与使用Si快速恢复二极管（Si FRD）的IGBT相比，开通损耗显著降低。在用于车载充电应用的案例中，开关损耗降低了67%，整体损耗降低了56%。此外，在与通常被认为比IGBT损耗更少的SJ-MOSFET进行比较的例子中，开关损耗可以降低24%。 有奖问答：他可以在更宽的工作频率范围内实现 %以上的高效率，在工作频率为100kHz时与IGBT相比效率提高3%
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发表于 2022-8-4 12:38:08
发表于 2022-8-4 21:18:09
