2023年4月26日,罗姆“轻松了解MOSFET及其使用方法”在线研讨会受到了大家的支持,再次谢谢大家的热情参与!
由于时间关系,直播中有些问题没有逐一解答,所以特意选取了研讨会中一些比较有代表性的提问与大家分享,供大家回顾。
顺便告诉大家,想要学习MOSFET相关更多资料,可以参加社区5月“学习MOSFET新品,问答闯关赢好礼!”,干货奖品通通安排~
1.问:驱动大电流设备时,MOSFET有什么好的散热措施? 答:降低热阻。做好散热,甚至考虑水冷等措施。除此以外,导热硅脂等也可以选择导热系数高的。
2.问:如何预防雪崩? 答:加钳位电路。雪崩能力不保证的器件,在设计中规避雪崩的发生,做好相关保护设计。
3.问:当器件工作在线性模式时,我们怎么确定选择的MOSFET是安全的? 答:主要看工作情况有没有超出SOA区域以及结温不能超过Tjmax。
4.问:MOS从off到ON过程中,VDS的值并不恒定而是从VIN减小至(VIN-VOUT),IDS这个过程中先变大后减小,SOA上看会在哪个区间表现是怎样的? 答:具体可以通过波形来判断。可以在SOA上根据电压电流的波形,跟踪绘制曲线,如果超出SOA则不行。
5.问:如何平衡RDSON和MOSFET的寄生电容? 答:这个是Tradeoff的关系,不能两者都兼顾。
6.问:封装是否有哪些优化突破创新? 答:Wettable Frank等技术的引入,使得焊点情况可以检查。
7.问:罗姆的低电压MOS的Ⅴgs开启电压通常为多少伏? 答:1~2V、5V开启,以上都有。 ---------------------------------------------------------------------- 为了方便小伙伴们更好地回顾研讨会内容,小R同学为大家整理了相关资料,可以了解一下哦!点击下方链接,可获取更多内容! │MOSFET基础知识 l产品介绍
l新产品datasheet
|