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[活动] 【10月】-有奖问答-学习新品知识,赢取金秋好礼!

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发表于 2023-10-10 10:00:02 | 显示全部楼层 |阅读模式
近期,罗姆陆续发布了众多新品。无论是大功率、低阻值检流电阻器,或是助力减少服务器AC适配器损耗和体积的EcoGaN™ Power Stage IC,或是配备VCSEL的小型接近传感器……应用领域涉及消费电子、车载、工业设备以及通信领域。罗姆都以其卓越的品质和革命性的设计引起了广泛关注。在此,小R为大家整理汇总并分享如下。现在学习新品相关知识,参与答题,即有机会赢取金秋好礼哦!
新品一:罗姆首次!硅电容器“BTD1RVFL系列
“BTD1RVFL系列”是业界超小尺寸的表面贴装型量产硅电容器,仅为0402(0.4mm×0.2mm)的尺寸。相较于普通的0603尺寸产品,它的安装面积减小了约55%,仅为0.08mm2,为应用产品的小型化提供了极大帮助。此外,这一新产品还内置了TVS保护器件,确保出色的ESD耐受能力,减少浪涌对策等电路设计工时。
产品1.png
<应用示例>
智能手机、可穿戴设备、小型物联网设备、光纤收发器等
这款产品在电路板材料、结构和布线图案等方面进行了重大改进。ROHM采用了自家独特的3D加工技术,实现了业界超快的500mm/秒打印速度,相当于以往产品速度的两倍左右。同时,应用了双层高硬度保护膜,显著提高了高速打印时的耐磨性和抗静电特性,并增强了对水分和盐分的耐腐蚀性,从而延长了打印头的使用寿命。
产品2.png
<应用示例>
物流标签、库存管理标签等所用的条码标签打印机
新品三:一体化封装!100V耐压双MOSFET
新产品采用了ROHM的新工艺和背面散热封装,实现了业界超低的导通电阻(Ron)。针对Nch+Nch产品,HSOP8封装的导通电阻为仅19.6mΩ,而HSMT8封装为57.0mΩ。与普通的双MOSFET相比,导通电阻降低了56%,极大地减少了应用设备的功耗。此外,通过将两个芯片整合到一个封装中,新产品可以显著减小安装面积,协助应用设备进一步节省空间。举例来说,使用HSOP8封装的产品替代两个单独的MOSFET(仅内置一个芯片的TO-252封装),可减少高达77%的安装面积。
产品3.png
<应用示例>
・通信基站用风扇电机
FA设备等工业设备用风扇电机
・数据中心等服务器用风扇电机
新品四:安装面积减少约78%!配备VCSEL的小型接近传感器“RPR-0720
新产品是一款光学传感器模块,采用光束发散角比LED更窄的VCSEL作为发光元件,并使用传感器IC作为光接收元件。通过ROHM自产元件的优化和模块结构的改进,实现了小尺寸化,该产品相比以往,安装面积减少了约78%。配备的VCSEL支持宽范围的输入电压(2.7V~4.5V),无需使用外部升压电路(如升压电源IC、电容器和线圈等),使其在使用锂离子电池时不仅有助于产品的小型化,还确保增加电池容量的空间。
产品4.png
<应用示例>
适用于利用光反射来检测状态的各种应用。
◆ 无线耳机、智能手表、游戏机控制器、VR头显等的脱戴检测
◆ 打印机、复印机、碎纸机等OA设备的纸张检测
◆ 电子烟的烟弹装卸检测、烟油检测
◆ 智能手机、笔记本电脑等的各种状态检测
新品五:体积减少约99%!EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB
新产品集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、专用栅极驱动器以及新增功能和外围元器件,能够充分发挥GaN HEMT的性能。它支持更宽的驱动电压范围(2.5V~30V),具备与各种控制器IC兼容的能力,可替代现有的Si MOSFET。相比于Si MOSFET,新产品的体积减少了约99%,功率损耗降低了约55%,从而实现了更低的能耗和更小的尺寸。这使得新产品具备出色的性能表现和卓越的能源效率。
产品5.png
<应用示例>
适用于内置一次侧电源(AC-DC或PFC电路)的各种应用。
消费电子:白色家电、AC适配器、电脑、电视、冰箱、空调
工业设备:服务器、OA设备
活动时间:
10.10-10.30(周末除外)
活动规则:
学习上方资料,回答小R准备的问题(1题/天),即可参与活动,每人每天2次答题机会(回答正确即可获得20罗姆豆/题),还可参与罗姆豆福利转盘~
罗姆豆有何用?福利转盘入口>>>
转盘奖品概览
一等奖保温杯    二等奖手持风扇
三等奖U盘      四等奖1000ROHM金币
五等奖10积分     六等奖 7罗姆金币
七等奖 6罗姆豆
必须当天参与答题才可兑奖,否则中奖无效~(补答无效)
*所有实物奖品均以等值积分在平台进行发放
温馨提示:
1.用户必须答对才可获得罗姆豆,每人每天有2次答题机会
2.罗姆豆和福利转盘仅在活动期间有效,活动解释权归罗姆社区所有,领奖请联系小R(论坛私信或者联系QQ:1282559705)
问题准备:
1.       RASMID™是________的简称。利用与传统方法完全不同的ROHM自有新工艺方法,实现了小型化和惊人的尺寸精度(±10μm以内)的超小型产品系列。
2.      BTD1RVFLT27N102的电容为_________pF。
3.      BTD1RVFLT27N471的额定电压是_________。
4.      BTD1RVFLT27N471的最小独立包装数量_________。
5.     TE2004-QP1W00A平面直径(参考)为_________mm
6. TE3004-TP1W00A的供电电压为________V。
7.  TE2004-QP1W00A的点数是________。
8. TE2004-QP1W00A和TE3004-TP1W00A的打印速度是__________。
9.  与100V耐压双MOSFET相结合的示例:__________和BM64070MUV、HP8KE6和BM64300MUV等。
10.  导通电阻(Ron)是MOSFET启动(ON)时漏极与源极之间的电阻值。该值__________,运行时的损耗(电力损耗)越少。
11.   VCSEL是____________________(垂直腔面发射激光器)的缩写。激光光源的一种,是可以从表面直接发射光的半导体激光器。以往多被用于通信领域,但近年来也被用作感测系统发光单元的光源。
12. RPR-0720尺寸是__________。
13.   GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si(硅)相比,具有更优异的物理性能,目前,因其具有出色的 ,越来越多的应用开始采用这种材料。
14.     下图方框中,?部分的新增功能应为:
103102.png
15.     BM3G007MUV-LB支持的驱动电压范围是2.5V~    V。




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