【R课堂】SiC功率元器件⑧使用SiC-SBD的优势

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SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PND的特征
SiC-SBD为形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构，电流通过电子与空穴（孔）流动。

SiC-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不仅拥有优异的高速性且实现了高耐压。Si-SBD的耐压极限为200V，而SiC具有硅10倍的击穿场强，故ROHM已经开始量产1200V的产品，同时在推进1700V耐压的产品。

耐压的产品

Si-PND通过在n-层积蓄少数载流子空穴而使电阻值下降，因此可同时实现远远超过Si-SBD的高耐压与低电阻，但关断速度较慢。尽管FRD是Si-PND中提高了速度的产品，但其trr特性等劣于SBD。上图表示Si-SBD、Si-PND/FRD与SiC-SBD耐压的覆盖范围。可以看出SiC-SBD基本覆盖了Si-PND/FRD的耐压范围，因此可改善这个范围的Si-PND/FRD的trr。

SiC-SBD的trr
通过与Si-FRD的比较介绍过Si-SBD具有优异的trr特性，而且几乎没有温度及电流依赖性。

SiC-SBD的trr

SiC-SBD的正向特性
Si-SBD的正向特性与Si-PND不同。这取决于物理特性和结构。尤其是温度特性，Si-FRD随着温度升高VF下降，传导损耗减少，但IF反而増加，从而可能陷入热失控状态。而SiC-SBD随着温度升高，VF变高，不会热失控。但是VF上升，因此IFSM比Si-FRD低。

SiC-SBD的正向特性

有奖问答:从SiC-SBD的这些特征可以看出，替代Si-PND/FRD的优势是得益于SiC-SBD的“高速性”，trr高速，因此可大幅_________，实现高效率。

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