【R课堂】SiC功率元器件⑩功率晶体管的结构与特征比较

管理-小R

功率晶体管的结构与特征比较
下图是各功率晶体管的结构、耐压、导通电阻、开关速度的比较。

功率晶体管的性能比较1

使用的工艺技术不同结构也不同，因而电气特征也不同。补充说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低导通电阻，近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。

在特征方面，Si-DMOS存在导通电阻方面的课题，如前所述通过采用SJ-MOSFET结构来改善导通电阻。IGBT在导通电阻和耐压方面表现优异，但存在开关速度方面的课题。

这张图是各晶体管标准化的导通电阻和耐压图表。从图中可以看出，理论上SiC-DMOS的耐压能力更高，可制作低导通电阻的晶体管。目前SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。

功率晶体管的性能比较2

有奖问答:SiC-DMOS在耐压、导通电阻、开关速度方面表现都很优异，而且在_________，可以说是具有极大优势的开关元件。

Tips: 点击阅读全文，获得答案

请规范答题，连续答错无法获得奖励哦~

阅读全文