【R课堂】SiC功率元器件（21）专用栅极驱动器和缓冲模块

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全SiC模块的驱动模式与基本结构
这里会针对下述条件与电路结构，使用缓冲电容器与专用栅极驱动器进行特性对比。在电路构成中，有上次介绍过的电解电容器和薄膜电容器。在不使用专用栅极驱动器时，作为栅极误导通对策，增加微法级的CGS，对VGS施加-5V作为负偏压（搭载第二代SiCMOSFET的全SiC模块）。

全SiC模块的驱动模式和基本结构

全SiC模块评估用专用栅极驱动板和陶瓷缓冲电容器模块
下面这些就是上述基本构成中所用的专用栅极驱动器与缓冲电容器，用来进行全SiC模块的评估。

评估用专用栅极驱动板

下面是实际安装后的实机。

实机示意图

专用栅极驱动器和缓冲模块的效果
首先来看有/无专用栅极驱动器和缓冲模块条件下导通时的波形比较。

全用棚极驱动器和缓冲模块的效果：导通时

按从上到下的顺序依次是ID、VD、VG，红色线和橙色线是安装了专用栅极驱动器和缓冲模块后的波形，蓝色线和绿色线则是未安装时的波形。从波形可以很明显地看出，浪涌和振铃得到了很好的抑制。
接下来是关断时的波形。

全用棚极驱动器和缓冲模块的效果：关断时

同样，浪涌和振铃也得到了了显著抑制。
在损耗方面，Eon的损耗从4.3mJ增加到5.3mJ，Eoff的损耗从5.3mJ减少到3.8mJ。这是因为随着会产生影响的电感值变小，Eon增加，Eoff减小。按总损耗（Eon + Eoff）来比较，当前损耗减少了0.4mJ。

有奖问答： 为了充分运用并发挥全SiC模块的性能，增加一个_________并使用专门设计的栅极驱动器可以说是非常好的方法。

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