【电子小百科】晶体管④关于封装功率容许功

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关于封装功率容许功
定义：是指由于输入晶体管的电压、电流产生的功耗在元件发热时，结温Tj为绝对最大额定值限定的温度(Tj＝150°C)时的功率。

計算方法

这里，PC、Ta、△Tx、Px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出，但是只有Tj不能直接得出。因此，如下列出使用VBE的测试方法。
VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。

热电阻测量电路

由此，通过测定VBE，可以推测结温。通过图1的测定电路，对晶体管输入封装功率：PC(max)。(假设1W晶体管的情况下，输入条件为VCB=10V IE=100mA)

·测定VBE的初始值VBE1
·对晶体管输入功率，使PN结热饱和
·VBE的后续值：测定VBE2
从这个结果得出△VBE=VBE2-VBE1。
因此，根据由输入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的结温。

图2. 进度表

有奖问答：硅晶体管根据温度具有一定的温度系数，约为_________。（达林顿晶体管为ー4.4mV/ºC）

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