【电子小百科】晶体管⑩负载开关

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关于负载开关ON时的浪涌电流
负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时，向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。
这种流过大电流的现象称作浪涌电流（Flash Current）。
浪涌电流的峰值大体可以通过输入电压VI、MOSFET Q1的RDS(on)和负载侧负载容量CL的ESR确定，输入电压VIN变大时，电流也相应变大。
浪涌电流显著变大时，有可能会引起误动作和系统问题。
而且，在超过最大额定电流时，有导致破坏的危险。通过与MOSFET Q1的栅极、源极间电阻R1并联追加电容器C2， 并缓慢降低Q1的栅极电压，可以缓慢地使RDS(on)变小，从而可以抑制浪涌电流。
■负载开关等效电路图

负载开关等效电路图

关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施
■Nch MOSFET负载开关等效电路图
Nch MOSFET 负载开关：RSQ020N03
VIN=5V, IO=1A,　Q1_1G=1V→12V
Q2 OFF时，负载SWQ1 ON。（Q1的栅极电压设定在VO(VGSQ1)之上。）
Q2 ON时，负载SWQ1 OFF。
Q1 ON时，由于会流过浪涌电流，所以作为应对措施追加C2。

Nch MOSFET 负载开关等效电路图

有奖问答：即使在负载开关Q1从ON到OFF时，由于存在_________，所以输出VO引脚的电压会残留一定时间。

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