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【R课堂】SiC MOSFET(11)传统的MOSFET驱动方法

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发表于 2024-2-23 10:25:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
MOSFET和IGBT等电源开关器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。需要尽可能地降低这种开关器件产生的开关损耗和传导损耗,但不同的应用其降低损耗的方法也不尽相同。近年来,发现有一种方法可以改善MOSFET和IGBT等的开关损耗问题,那就是带有驱动器源极引脚(所谓的开尔文源极引脚)的新封装。在本文——“通过驱动器源极引脚改善开关损耗”中,将介绍功率开关产品具有驱动器源极引脚的效果以及使用注意事项。

传统的MOSFET驱动方法
为了便于对驱动器源极引脚进行说明,我们先来了解一下传统的MOSFET驱动方法。下面是传统TO-247N封装(3引脚)MOSFET的常见栅极驱动电路示例。

MOSFET的常见栅极驱动电路示例

MOSFET的常见栅极驱动电路示例

驱动电源VG和MOSFET的栅极引脚Gate之间连接外置电阻RG_EXT,用来控制开关速度,但驱动电路中含有PCB版图的电感LTRACE和MOSFET源极引脚Source的封装电感LSOURCE,因此这个参数是需要好好考虑的重要项目。栅极引脚的封装电感包含在LTRACE中,而漏极引脚Drain的电感LDRAIN不包含在栅极驱动电路中,因此在这里省略。
由于该驱动电路的具体工作是很基本的而且是常见的,因此在此省略相应的介绍,但需要注意的是,由于流过漏极和源极间的漏极电流ID的变化,LSOURCE中会产生电动势VLSOURCE,这一点在以往的开关速度下很容易被忽略。下面是驱动电路的开关工作中的电压施加情况:

驱动电路的开关工作中的电压施加情况

驱动电路的开关工作中的电压施加情况
MOSFET被施加VG并导通后,ID増加,LSOURCE沿图中(I)的方向产生VLSOURCE。另一方面,由于电流IG流入栅极引脚,因此在RG_EXT上会产生压降VRG_EXT(I)。

有奖问答:MOSFET通常为电压驱动型,通过_________来控制开关工作。
Tips: 点击阅读全文获得答案
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