【R课堂】逆变电路中开关器件④效率

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通过三相调制逆变电路比较PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率（仿真）
继上一篇中通过双脉冲测试进行损耗比较的内容之后，本文中我们将对本系列文章的评估对象——三相调制逆变电路中的效率进行比较。MOSFET与双脉冲测试中使用的产品型号一样，即PrestoMOS™ R6030JNx和普通的SJ MOSFETR6030KNx。这次是通过仿真来进行效率比较的。图19为仿真电路。

仿真电路

仿真条件是根据双脉冲测试电路中所用的条件进行了如下设置：
1）栅极驱动电压VGS：0V to 12V
2）电源电压Vin：280Vdc
3）电感LU、LV、LW：8mH
4）开关频率fsw：5kHz
5）栅极电阻RG(on)：根据器件进行变更（为了使导通的di/dt达到100A/μs）
・PrestoMOS™ R6030JNx：60Ω（并联3个180Ω电阻）
・R6030KNx：180Ω
6）栅极电阻RG(off)：22Ω
7）输出功率POUT：100W、300W、500W、700W、1000W
图20为仿真得到的效率。图21为仿真过程中1个MOSFET的损耗。

MOSFET的损耗

从结果可以看出，PrestoMOS™ R6030JNx（红线）的效率更高，其优异的反向恢复特性是非常有助于提高效率的。

有奖问答：关于损耗，当输出功率为1000W时，1个MOSFET的损耗改善了_________。

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