【电子小百科】晶体管①什么是晶体管?

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关于晶体管ON时的逆向电流

关于晶体管ON时的逆向电流

在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。
1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的
2. NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型。
也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。

通常动作

3. 逆向晶体管有如下特点。
hFE低（正向约10%以下）
耐压低 (7 to 8Ｖ 与VEBO一样低)
↑通用TR的情况，除此之外，还有5V以下
(突破此耐压范围，会发生hFE低下等特性的劣化，请注意。)
VCE(sat)及VBE(ON)的特性没有太大的变化


关于封装功率容许功
定义：是指由于输入晶体管的电压、电流产生的功耗在元件发热时，结温Tj为绝对最大额定值限定的温度(Tj＝150°C)时的功率。

計算方法

这里，PC、Ta、△Tx、Px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出，但是只有Tj不能直接得出。因此，如下列出使用VBE的测试方法。


VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。

图1. 热电阻测量电路

图1. 热电阻测量电路

由此，通过测定VBE，可以推测结温。
通过图1的测定电路，对晶体管输入封装功率：PC(max)。

(假设1W晶体管的情况下，输入条件为VCB=10V IE=100mA)

有奖问答：fT表示增益带宽积指晶体管能够动作的极限频率。所谓极限，即________的情况。

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