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【R课堂】逆变电路中开关器件⑨空调用PFC电路

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空调用电流连续模式PFC电路:利用MOSFET和二极管提高效率的案例
下面的电路是空调的电流连续模式(CCM)PFC电路示例。接下来是在该电路中,将原始设计中使用的FRD(快速恢复二极管)变更为SiC SBD(肖特基势垒二极管)“SCS112AM”和另外的FRD“RFUS20TF6S”后,此外,将开关晶体管由原始的IGBT变更为Hybrid MOS“R6035GN”后,以及同时变更晶体管和二极管后,对效率进行比较的结果。

PFC连续模式电路示例

PFC连续模式电路示例
将原始设计中的FRD变更为SiC SBD
将原来使用的FRD变更为SiC SBD后的效率和损耗比较数据如下:

PFC实机评估结果 SiC二极管vsSi二极管

PFC实机评估结果 SiC二极管vsSi二极管
以上是一组实际测量数据。在效率方面,有0.1%~0.2%左右的提升;在损耗方面,当Po=2094W时有约4.2W的差异。
该差异的主要原因是相比原FRD,所替换的SiC SBD的trr(反向恢复时间)更短。在“电流连续模式PFC:利用二极管提高效率的例子”一文中已经介绍过,在电流连续模式PFC中,二极管的trr(反向恢复时间)特性在高速时效率更好。另外,关于SiC-SBD和FRD的反向恢复特性的区别,在“所谓SiC-SBD-与Si-PND的反向恢复特性比较”中有详细说明,请参考。


将原始设计中的IGBT变更为Hybrid MOS
接下来是开关晶体管的不同所带来的损耗比较数据。此时的二极管为SiC SBD。

PFC实机评估结果 Hybird MOSFETvsIGBT

PFC实机评估结果 Hybird MOSFETvsIGBT
通过以上比较可以确认,将开关晶体管从IGBT变更为Hybrid MOS“R6035GN”后,在输出功率1000W的条件下,损耗可以降低4W。


有奖问答:将原始设计中的IGBT变更为Hybrid MOS其原因有两个,一个是Hybrid MOS的开关速度快,因此_________;另一个是导通电阻小,_________
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