【R课堂】来自工程师的声音⑦驱动器源极引脚

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－接下来，请您介绍一下驱动器源极引脚是如何降低开关损耗的。首先，能否请您对使用了驱动器源极引脚的电路及其工作进行说明？
Figure 4是具有驱动器源极引脚的MOSFET的驱动电路示例。它与以往驱动电路（Figure 2）之间的区别只在于驱动电路的返回线是连接到驱动器源极引脚这点。请看与您之前看到的Figure 2之间的比较。

具有驱动器源极引脚的MOSFET的驱动电路、开关工作过程中的电压

从电路图中可以一目了然地看出，包括VG在内的驱动电路中不包含LSOURCE，因此完全不受开关工作时的ID变化带来的VLSOURCE的影响。
如果用公式来表示施加到内部芯片的电压VGS_INT的话，就是公式（2）。当然，计算公式中没有3引脚封装的公式（1）中存在的LSOURCE相关的项。所以，4引脚封装MOSFET的VGS_INT仅受RG_EXT和IG引起的电压降VRG_EXT的影响，而且由于RG_EXT是外置电阻，因此也可调。下面同时列出公式（1）用以比较。

VGS_INT计算2

－能给我们看一下比较数据吗？
这里有双脉冲测试的比较数据。这是为了将以往产品和具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET的开关工作进行比较，而在Figure 5所示的电路条件下使Low Side（LS）的MOSFET开关的双脉冲测试结果。High Side（HS）是将RG_EXT连接于源极引脚或驱动器源极引脚，并仅使用体二极管换流工作的电路。

双脉冲测试电路

Figure 6是导通时的漏极-源极间电压VDS和漏极电流ID的波形。这是驱动条件为RG_EXT＝10Ω、VDS＝800V，ID约为50A时的波形。红色曲线的TO-247-4L为4引脚封装，蓝色的TO-247N为以往的3引脚封装，其中的SiC MOSFET芯片是相同的。
我们先来比较一下虚线ID的波形。与蓝色的3引脚封装品的波形相比，红色的4引脚封装的ID上升更快，达到50A所需的时间当然也就更短。

ダブルパルス試験における4端子パッケージと3端子パッケージのSiC MOSFETターンオンスイッチング波形の比較 ...

虽然VDS的下降时间本身并没有很大的差别，但栅极信号输入后的开关速度明显变快。


－就像您前面说明的，区别只在于4引脚封装通过设置驱动器源极引脚，消除了LSOURCE的影响，因此它们的开关特性区别只在于LSOURCE的有无所带来的影响？可不可以这样理解？
基本上是这样。当然，也有一些应该详细查考的事项，但如果从栅极驱动电路中消除了LSOURCE的影响，则根据Figure 4中说明的原理，开关速度将变快。关于关断，虽然不像导通那样区别显著，但速度同样也会变快。

有奖问答：在导通数据中，原本2,742µJ的开关损耗变为1,690µJ，损耗减少了约38%。在关断数据中也从_________，损耗减少了约30%。

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