氮化镓晶体管:高频高功率应用新趋势引领者

氮化镓晶体管作为高性能半导体元件,在高速运算、高频电子器件等领域具有广泛应用前景。然而,其设计和制造过程对精确模型的需求高,受强自热效应、陷阱效应和非线性特性影响,建模难度增大。散热问题也不容忽视,需充分考虑并采取合适散热措施。可靠性问题是一大挑战,尤其在基站等严苛场景中,需确保长时间稳定运行。
氮化镓晶体管以其高电子饱和迁移率、高热导率和宽禁带等特性,在无线通信、国防工业及自动驾驶等领域展现出广泛且关键的应用。在无线通信中,氮化镓晶体管在射频和微波频率下性能卓越,尤其在5G和IoT领域不可或缺。在国防工业中,其大功率、小体积和高效热管理特点受到青睐。在自动驾驶领域,氮化镓晶体管为LiDAR系统提供优越性能,推动自动驾驶汽车发展。
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在电力电子设计中展现出巨大潜力,其基于AlGaN和GaN交界面的压电效应形成的二维电子气(2DEG)实现高效导电。与硅基晶体管相比,GaN HEMT不受少数载流子复合影响,具有更高效率和性能。尽管氮化镓晶体管通常为常开器件,但通过策略如级联结构或添加P型氮化镓,可实现增强型(常闭)晶体管。
在人工智能(AI)领域,不断涌现出各种新概念和技术,而生成对抗网络(GAN)是最近引起广泛关注的一个词。那么,什么是GAN呢?GAN背后的理念是利用两个相互对立的AI系统,通过对抗提高模型输出结果的质量。本文将详细解释GAN的含义、工作原理以及其应用实例。
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC“BD2311NVX-LB”。