ROHM开发出充电控制IC“BD71631QWZ”，支持新型二次电池等低电压充电
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款充电控制 IC“BD71631QWZ”，该产品支持搭载二次电池的无线耳机等可穿戴设备以及智能显示器等小而薄的物联网设备的低电压充电。
新产品通过提高IC内部的电路稳定性，实现了从2.0V到4.7V的宽充电电压范围，不仅支持锂离子电池等传统二次电池的充电，还支持需要低电压充电的新型二次电池*1（如近年来开发的全固态和半固态电池）的充电。普通充电控制IC的充电电压是固定的，但新产品只需改变外部电阻即可轻松设置充电电压，这也有助于减少更换电池等工作所需的设计工时。此外，采用ROHM自有的封装技术，实现了厚度仅为0.4mm的薄型封装（比普通产品薄60%），有助于应用设备的进一步小型化和薄型化。不仅如此，由于可以设置CCCV*2充电的各项充电特性（充电电流、终止电流等），因此能够为搭载新型二次电池的可穿戴设备和小而薄的物联网设备提供理想的充电环境。
新产品于2021年7月开始投入量产（样品价格 300日元/个，不含税），前期工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co., Ltd.（日本滨松市），后期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福冈县）。此外，评估板“BD71631QWZ-EVK-001”也已开始网售（可通过电商平台Ameya360,Sekorm,Oneyac,Rignt IC购买）。
今后，ROHM将通过提供更高效的充电解决方案，继续为提高应用产品的便利性做出贡献。
近年来，在小而薄的物联网设备等领域，对更安全、高密度的二次电池的需求高涨，促使采用新材料作为电解部分的全固态和半固态电池、改变了电极材料的电池等新型二次电池的开发进程加速。而另一方面，很多新型二次电池又小又薄，需要2V～3V级的低电压充电，却没有可以支持宽电压范围的充电控制IC。
在这种背景下，ROHM开发出一款充电控制IC，不仅支持锂离子二次电池的充电，还支持全固态和半固态等新型二次电池的低电压充电。
＜新产品特点＞
1．支持需要低电压充电的全固态和半固态电池等新型二次电池的充电
BD71631QWZ仅需改变外置电阻即可在2.0V～4.7V的充电电压范围内轻松设置，因此不仅支持单节锂离子电池的充电，还支持需要低电压充电的全固态和半固态等新型二次电池的充电，应用范围更广。
2．非常适合搭载薄型二次电池应用的封装尺寸
BD71631QWZ是采用ROHM自有封装技术的1.8mm×2.4mm×0.4mm薄小型封装。与普通产品（3.0mm×3.0mm×1.0mm）相比，安装面积减少了约50%，同时，厚度减少了约60%。通过使其厚度与周边部件的厚度相同，有助于设备的小型化和薄型化。尤其适用于搭载片状超薄二次电池的可穿戴设备和小而薄的物联网设备。
3．实现了符合二次电池特性的理想CCCV充电
BD71631QWZ可以通过外置电阻独立设置CCCV充电的充电特性（充电电压、充电电流、终止电流、再充电电压）。因此，可根据各种容量的二次电池的特性实现理想充电。此外，即使在设计应用产品时需要更换电池，也无需重新选择部件即可进行设计，有助于减少设计工时。此外，待机状态下的0μA放电和内置各种保护功能，有助于搭载二次电池的设备的长时间工作，以及提高充电过程中的安全性。
＜产品阵容＞
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向中小功率（30W～1kW级）的工业设备和消费电子设备，开始提供LogiCoA™电源解决方案，该解决方案能以模拟控制电源*1级别的低功耗和低成本实现与全数字控制电源*2同等的功能。
隧道二极管作为关键半导体器件，在高速开关、高频振荡等领域发挥重要作用。材料科学、纳米技术的发展将推动其技术革新，实现性能提升。同时，集成化、微型化及智能化发展也是未来重要方向。国际上隧道二极管研究集中在材料优化、制造工艺提升等方面，国内也呈现出蓬勃态势。
隧道二极管基于隧穿效应工作，需精确控制材料、掺杂和几何结构以提升性能。然而，其热稳定性差、电路设计复杂、脉冲幅度小以及制造难度高限制了应用。为解决这些问题，需研究新材料、工艺以降低生产成本并提高稳定性。
隧道二极管，利用量子力学中的隧穿效应工作，其核心结构是高度掺杂的p-n结，形成了非常窄的耗尽区。在电压作用下，电子能够直接通过量子隧穿效应穿越耗尽区，形成独特的非线性电流-电压关系，表现为负微分电阻效应。这使得隧道二极管在高频振荡、放大、高速开关及低噪声器件等方面具有独特应用优势。
碳化硅（SiC）的比热容是其关键物理性质，随温度变化而展现独特优势，尤其在高温应用中。当前，通过实验测定和理论计算，科学家们已对碳化硅的比热容进行了深入研究，揭示了其随温度升高的增大趋势及受纯度、晶粒大小、制备工艺影响的规律。
